Misceláneos - Ch (1.040)

MOSFET de potencia HEXFET • Interruptor de carga y descarga para aplicaciones de batería para portátiles

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

HiperFET MOSFET de potencia Clase Q3 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Resistencia de puerta Intrinsic baja Paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entra

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de p

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Capacidad DV/

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicación Convertidores dc-dc de alta frecuencia Sin plomo Beneficios Puerta baja para carga de drenaje para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar el diseño,

N-Channel 100V - 0.038O - 35A - Carga de puerta baja STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Aplicaciones Aplicación de conmutación

MOSFET de potencia UniFET UniFETM MOSFET es la familia de MOSFET de alta tensión de ON Semiconductor, basada en la tecnología Planar Stripe y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia al arranque y ofrecer una mejor potencia de conmutaci

MOSFET de potencia PowerTrench Características Carga de águila baja Diodo corporal de bajo valor Qrr (carga recuperada inversa) Capacidad UIS (impulso único e impulso repetido) Sin PB y compatible con RoHS Aplicaciones Rectificación síncrona Circuitos de

Alimentación HEXFET MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Perfiles bajos Temperatura de funcionamiento 175 °C. conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

Este modo de depleción de umbral bajo (normally-on) utiliza transistores en la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de puerta de silicona de montaje de pozo. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia

MOSFET de potencia Canal N QFET Este MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento está fabricado con tecnología patentada de bandas planares y DMOS de Fairchild Semiconductor. La tecnología MOSFET avanzada de iese se ha diseñado específicament

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alimentación del procesador MOSFET síncrono para portátiles Segunda retirada síncrona para convertidores dc-dc aislados FET síncrono para convertidores dc-dc no aislados Sin plomo Beneficios Muy bajo RDS(on) en 4.5V

Transistor MOSFET N-CH 30 V 20 A SO-8

MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La caja TO-220 es generalm

Transistor MOSFET N-CH 100 V 17A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

IRF9640, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-2

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema Debido a la demanda del mercado de este producto, se producen plazos de entrega más largos

MOSFET de canal N. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Conversión de CC/CC de lado alto �Portátil �Sever Nota: "G" denote para el producto libre de ha

N-Channel 800 V, 0,3 O tipo., 14 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs Características • El área RDS(on) x más baja de la industria • La mejor figura de mérito de la industria (FOM) • Cargo de puerta ultra bajo • 100% avalancha probada • Zener-protegido Aplicaciones

MEJORA DEL CANAL P MODO VERTICAL DMOS FET Vivienda: E-Line /TO92 compatible

IRFP250NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripciones: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinad

MOSFET de potencia MDmesh™ M5 Estos MOSFET de potencia de canal N se basan en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. Los productos resultantes ofrecen una resistencia de arranque ext

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuito de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sus

Transistor MOSFET N-CH 55 V 47 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

MSC035SMA170S, 1700 V, 35 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al t

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �proceso planar avanzado �se ha comprobado el valor 100% �Low RDS(ON) 8R (típ.) �Carga típica de puerta baja a 6.1 NC (tipo) �Baja Crss típica @4.2pF (típ.) APLICACIÓN �Suministro de alimentación �Iluminación

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo

IRFR1018EPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones • Rectificación sí

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para

BSS84P, TRANSISTOR DE SEÑAL PEQUEÑA SIPMOS Características: • Canal p. • Modo de enriquecimiento • Nivel lógico • Valor de Avalon • con calificación dv/dt • Chapado de plomo sin PB; compatible con RoHS • Cualificado según AEC Q101 • Libre de halógenos seg

IKZ75N65EH5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Conmutación con pérdidas e

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220 se prefi

Alimentación HEXFET MOSFET Descripción: Estos MOSFET de potencia HEXFETPOWER de canal P de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por rango de silicio. Esta ventaja prop

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Notebook CPU Core - Interruptor de lado alto