Misceláneos - Ch (1.055)

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

MOSFET DE CANAL DE 60 V P. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Sistema de alimentación DC-DC �Interruptor de carga

Montaje rápido, solución limpia, sin conocimientos de instalación. Retire la pieza de transición y el conector de. Coloque la pieza de transición sobre una superficie plana. Presione el conector de a ras en la pieza de transición. Sacar el enchufe de de d

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor puerta, avalancha y resi

Carcasa: SOT-23

IRFP 9140, MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-247AC se utiliza preferentement

Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. MOSFET de potencia utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para la transformación Muy baja resistencia en tiempo real por superficie de silicio. Otr

El LND150 es un transistor de modo de agotamiento (normalmente encendido) de canal N de alta tensión que utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores norm

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay le ofrecen El diseñador es la mejor combinación de cambio rápido, Diseño robusto, baja resistencia y Rentabilidad. El cuerpo TO-220 se convierte en universal para todos Aplicaciones comerciales e indu

Descripción Los transistores de efecto de campo de rendimiento de modo de enriquecimiento de nivel lógico SuperSOTTM-3 N-Channel se fabrican con la tecnología DMOS patentada de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad se debe

HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Relajado y cómodo durante la jornada laboral. ¿Sufre de hombros tensos, tensión u otros síntomas desagradables cuando trabaja frente al ordenador? En muchos casos, se debe a una postura incorrecta. Un teclado ergonómico como el CHERRY KC 4500 ERGO puede p

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFRC20, SiHFRC20) • Líder de la calle (IRFUC20, SiHFUC20) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • categor

Transistor MOSFET P-CH 100 V 6,6A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

Potencia MOSFET HiPerFET Modo de mejora de canal N = 300 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos

MOSFET de potencia SIC Características Baja subida y bajas pérdidas de cambio Velocidades de conmutación altas posibles Menor dependencia de la temperatura Aplicación Accionamiento del motor Inversor, convertidor Fotovoltaica, generación de energía eólica

MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja f

Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

TrenchMV Power MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características paquetes internacionales estándar Temperatura de funcionamiento 175 °C. Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de pot

Con este adaptador de red, puede convertir fácilmente un aparato existente con un enchufe de contorno alemán CEE 7/17 al enchufe suizo de 2 clavijas (SEV 1011 tipo 11) con poco esfuerzo. Para ello no se necesitan herramientas adicionales. Una vez colocado

STP40NF10 Este MOSFET de alimentación de 100 V de canal N es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de STMicroelectronics de una sola característica. El transistor resultante tiene una densidad de empaque extremadamente alta para una baja

FDN306P Canal P 1,8V PowerTrench especificado Este MOSFET de canal P especificado de 1,8V utiliza el avanzado proceso de entrada de baja tensión de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de batería. Características • 2,6 A, -1

MOSFET de potencia Polar2TM HiPerFETM Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic

Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. MOSFET de potencia utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio.

Este MOSFET de rendimiento es el último desarrollo del exclusivo proceso de tamaño de función único basado en tiras de STMicroelectronics. El resultado El transistor tiene una densidad de paquete extremadamente alta para una resistencia de conexión baja,

Potencia lineal MOSFET w/ extendido FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Avalancha aconsejada Características Diseñado para operaciones lineales Avalancha aconsejada Protección de FBSOA a 75 °C. ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

N-Channel 100V, Tipo 2.85M, 110A STREFFET™ F7 Power MOSFET Características • Resistencia a la ON ultra baja • 100% avalancha probada Aplicaciones • Aplicaciones de conmutación de alta corriente

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

Frío 75 por CRC Industries Para la localización de averías térmicas en electrónica, para la contracción en frío de piezas pequeñas, para eliminar la suciedad pegajosa de los textiles, para la congelación por choque de caucho y plástico y para la comprobac

Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza p

IRLB3034PBF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Optimizado para Logic Level Drive • RDS(ON) muy bajo a 4,5V VGS • Superior R*Q a 4,5V VGS • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de A

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patil

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado �Complant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/

IRF540ZPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas: Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una tem

TRANSISTOR SMD N-FET SOT-23 100V 0,17A

El soporte de pared adicional para el go-e Charger Gemini flex te ofrece la posibilidad de montar tu Wallbox móvil en otra ubicación de la pared, como en el segundo hogar. Alcance del ajuste: Placa de montaje en pared para go-e Charger Gemini flex Cuatro

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

Potencia MOSFET (Pestaña aislada de electricidad) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Sustratos de silicona chip on Direct-Copper Bond (DCB) - Paquete reconocido por UL - Superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico d