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FET digital, canal N Descripción Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican utilizando LA tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada por Semiconductor. Este proceso de muy alta densidad está diseñado

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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

STD1NK60, N-CANAL 600V - 8O - 1A DPAK SUPERMESH™ MOSFET Descripción: La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras comprobadas de ST. Además de reducir significativamente la resistencia al encendido,

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