Misceláneos - Ch (1.418)

N-Channel 950 V, 0.275 O tipo., 17,5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs Características El área RDS(on) x más baja de la industria El mejor FOM de la industria (figura de mérito) Cargo de puerta ultra bajo 100% avalancha probada Zener-protegido Aplicaciones Conmu

Potencia MOSFET Características Dynamic DV/dt Rating Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) Disponible en cinta y reel Conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de accionamiento simple3 DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación

Carcasa: TO-92 (línea eléctrica)

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

N-Channel 600 V, 0,48 O, 13 A, Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicación Conmutación de aplicaciones

Caja: SO-16

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

N-Channel 800 V, 1,5 O, 5,2 A, Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Ap

IXTH11P50, MOSFET de potencia, modo de ganancia de canal p. Características • Chasis estándar internacional • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura robusta de la puerta de seguridad de polisilicio • Apto para Avalon • Baja inductancia del chasis: Fác

StrongIRFET™ IRFB7434PBF , HEXFET® Performance MOSFET Servicios • Mejora de la resistencia de la puerta, Avalon y Dynamic DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Diodo corporal avanzado DV/dt y capacidad di/dt • Sin plomo* • Compat

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de equipo robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El SMD-220 es un encapsulado de alimentación que

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

TrenchT2 HiperFET Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Velocidad dinámica dv/dt Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil

Descripción • Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N en una carcasa de plástico SOT23 pequeña (TO-236AB) con dispositivo montado en superficie (SMD), utilizando la tecnología MOSFET de separación. Características y venta

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �proceso planar avanzado �se ha comprobado el valor 100% �conmutación rápida APLICACIÓN �Suministro de alimentación �Iluminación

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Nivel lógico Carga de puerta baja para un cambio rápido PROTEGIDO CONTRA ESD 2,5KV (HBM) Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicacione

Entre las características de este diseño se incluyen una temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 150 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente ex

Transistor MOSFET N-Ch 40V. 10A. SO-8

Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(ON) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ah

Transistor DMOS vertical en modo de enriquecimiento de canal p. Descripción general Transistor DMOS de modo de ganancia de canal P vertical (Diffusion Metal Oxide Semiconductor) en una caja de plástico de superficie pequeña (SMT). Características: • Baja

Diseño: TSOP6 Polaridad: N Tensión de drenaje: 20 V. Corriente de drenaje: 2,5/ 3,4 A. Potencia: 1,1 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferi

MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es g

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

IRF644S, SIHF644S. Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D2PAK es un encapsula

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C6 Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1) • PB-free pla

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adec

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Convertidores dc-dc de alta frecuencia Sin plomo Beneficios Puerta baja para carga de drenaje para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar el diseñ

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de f

Adaptador para la conexión de aparatos eléctricos con sistema de conexión a tierra de CH en países con sistema de conexión a tierra como DE, FR, BE, CZ, PL, NL, ES, PT, SE, FI, NO, GR, TR, AT... • Toma de corriente con mayor protección contra contacto. •

BiMOSFET de alta tensión Transistor de MOS bipolar monolítico Canal N, modo de enriquecimiento Características: • Alta tensión de bloqueo • Chasis estándar internacional • Pequeñas pérdidas de cables Ventajas: • Requisitos de accionamiento de puerta bajos

Carcasa: DIL-16

Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Susta

FET digital, canal P DESCRIPCIÓN Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal P se fabrican utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas propiedad de ON Semiconductor. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para mi

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Canal P MOSFET Disponible en cinta y reel Sin plomo

La cortadora de setos inalámbrica GE-CH 18/60 Li-SOLO DE EINHELL es un poderoso miembro de la familia X-Change de EINHELL. La innovadora serie Power X-Change obtiene un alto rendimiento y máxima flexibilidad: Las baterías de iones de litio son intercambia