Misceláneos - Ch (1.055)

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo

Con este adaptador de red puede convertir sin problemas un dispositivo existente con un conector con puesta a tierra estándar alemán CEE 7/4 (TIPO EF) al conector suizo de 3 polos (SEV 1011 tipo 12) ejerciendo una leve fuerza. Para ello no se necesita nin

MOSFET de potencia TrenchP Modo de enriquecimiento del canal p.

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rated • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Disponibilidad libre de plomo (Pb)

El CARGADOR GO-E GEMINI FLEX con una potencia de carga máxima de 22 kW es una estación de carga inteligente con un diseño elegante para cargar vehículos eléctricos e híbridos enchufables tanto en interiores como en exteriores. La caja de pared se puede mo

Der go-e Charger Gemini 11 kW ist eine smarte Ladestation im zeitlosen Design zur Installation an einem festen Standort im Innen- und Außenbereich. Der Charger lädt Elektroautos und Plug-in-Hybride einfach, schnell und sicher.Über die App lassen sich bei

Multiplexor analógico de 1 canal de 20 V, 8: 1 con conversión de nivel lógico

N-CHANNEL 100V - 0.019O - 80A STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �100% avalancha probada Aplicaciones �Aplicación de conmutación

Descripción Los multiplexores y desmultiplexores analógicos CD405xB son interruptores analógicos controlados digitalmente con baja impedancia y muy baja corriente de fuga. Estos circuitos multiplexores tienen un consumo de corriente silenciosa extremadame

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

2SK 30

Cable adaptador para go-e Charger Gemini flex 22 kW con conector de 32 a CEE rojo (trifásico - corriente trifásica). El adaptador permite conectar el cargador a tomas de corriente monofásicas de 16 a CEE azules (enchufe de camping). La detección de adapta

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

Propiedades - Resolución de 12 bits - Memoria de a bordo no volátil (EEPROM) - ±0,2 LSB DNL (típico) - Dirección A0 externa Pin - Modo normal o de apagado - Tiempo de sedimentación rápida: 6 µs (típico) - Consigna de tensión externa (VDD) - Salida de tren

MOSFET de potencia CARACTERÍSTICAS - La baja carga de puerta Qg permite un accionamiento sencillo - Mejora de la robustez de la puerta, la avalancha y el dV/dt dinámico - Capacitancia y tensión y corriente de avalancha totalmente caracterizadas - Conforme

MOSFET de potencia PolarP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Proceso PolarPTM rugged Inductancia de paquetes bajos Diodo casi Intrinsic ADVantages Fácil de montar Ahorro de

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Transistor Zetex Vivienda: SOT-223 N-Channel MOSFET

Potencia lineal MOSFET w/Extended FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Características Diseñado para operaciones lineales Paquetes internacionales estándar Protección de FBSOA a 60 °C. Clasificación de inflamabilidad de epoxies Molding Meet

Canal N, modo de empobrecimiento, FET DMOS vertical Descripción El DN2530 es un transistor de baja cola en modo de reposo con duración de encendido normal que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio p

MOSFET DE CANAL DE 60 V N Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Sistema de alimentación DC-DC �Interruptor de carga

MOSFET de potencia SUPERFET II SUPERFET II MOSFET es la nueva familia MOSFET de alta tensión de alta tensión de Fairchild Semiconductor (SJ) que utiliza la tecnología de compensación de carga para obtener una resistencia de arranque especialmente baja y u

Características • Diseño de celda de alta densidad para RDS(ON) bajo • Interruptor de señal pequeña controlado por tensión • robusto y fiable • Alta capacidad de corriente de saturación

MOSFETs de potencia STIPFET™ II de grado automotriz Características AEC-Q101 calificado Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Descripción Estos MOSFET de potencia se han desarrollado utilizando el proceso STTripFET único

HAY MÁS Todos los dispositivos en un solo lugar. Amplíe su lugar de trabajo en casa o en la oficina. Con el concentrador USB 3.0, puede conectar hasta 7 dispositivos adicionales y seleccionarlos con el botón correspondiente. Esta función le garantiza un m

TRANSISTOR SMD P-FET SOT-23 -50V -0,13A

Adaptador Fix black de to CH 230V, 2 clavijas T11, enchufe con zócalo

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robu

Alimentación HEXFET MOSFET Características RDS(on) bajo ( patrón industrial de pinout Compatible con técnicas de montaje superficial existentes RoHS Compliant containing no lead, no bromide y no halógeno MSL1, Consumer qualification

Etiquetas RFID en forma de llavero. Las etiquetas RFID le permiten autorizar y personalizar la carga en su go-eCharger. De este modo, por ejemplo, puede asignar una cuenta a cada día y ver los kWh cargados a través de la cuenta. Tenga en cuenta que para u

Transistor MOSFET N/P-CH 25 V 3,5A/2,3A SO-8

Transistor SMD N-FET SOT-23 50 V 0,22 A

HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

FET digital, canal N Descripción Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican utilizando LA tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada por Semiconductor. Este proceso de muy alta densidad está diseñado

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

N-CANAL 600V - 1O - 6A - TO-220/TO-220FP/I²PAK/D²PAK ZENER PROTEGIDO SUPERMESH™ MOSFET La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de la reducción significativa de la resisten

MOSFET DE CANAL P DE 20 V. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Gestión de la batería �Interruptor de alta velocidad