Ch (1.265)

BiMOSFET de alta tensión Transistor de MOS bipolar monolítico Canal N, modo de enriquecimiento Características: • Alta tensión de bloqueo • Chasis estándar internacional • Pequeñas pérdidas de cables Ventajas: • Requisitos de accionamiento de puerta bajos

Carcasa: DIL-16

Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Susta

FET digital, canal P DESCRIPCIÓN Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal P se fabrican utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas propiedad de ON Semiconductor. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para mi

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Canal P MOSFET Disponible en cinta y reel Sin plomo

La cortadora de setos inalámbrica GE-CH 18/60 Li-SOLO DE EINHELL es un poderoso miembro de la familia X-Change de EINHELL. La innovadora serie Power X-Change obtiene un alto rendimiento y máxima flexibilidad: Las baterías de iones de litio son intercambia

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

IWW25T120 DuoPack IGBT y diodo de baja pérdida de 1200V: IGBT en tecnología TrenchStop® y Fieldstop con recuperación suave y rápida de diodo he antiparalelo controlado por emisión Características y ventajas: - Aprox. VCE(sat) de 1,0V y FV de 0,5V reducida

Carcasa: DIL-16

MODO DE SERVICIO DE CANAL N MOSFET Características: • Baja resistencia en marcha • Tensión de umbral de puerta baja • Baja capacidad de entrada • Velocidad de conmutación rápida • Fuga de entrada/salida baja • Con protección ESD de hasta 2kV • Totalmente

N-Channel 400 V, 0,47 O Typ., 9 A SuperMESH Power MOSFETs Características • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones

Thick film SMD Resistor 0603 small size and light weight suitable for wave soldering and reflow soldering suitable for placement machines

MOSFET DE CANAL DE 100V N Características �RDS bajo (ON) 250MR (máx.) �Carga típica de puerta baja a 11,1NC (tipo) �tecnología de tendencias de alto rendimiento

Carcasa: DIL-16

MOSFET de potencia KSB SUPREME El MOSFET SUPREME® es la próxima generación de tecnología de alta tensión Super Junction (SJ) de ON Semiconductor, en la que uno es diferente de los MOSFET SJ tradicionales por un proceso de llenado profundo de zanjas. Esta

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to

MOSFET de potencia de canal doble N de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

Alimentación HEXFET MOSFET Características parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Baja RDSON para mejorar la eficiencia QG bajo y QSW para el THD mejorado y una eficiencia mejorada QRR bajo para THD y EMI infer

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

FBT XS-CH 118S, Funda, Adecuada para FBT X-Sub 118SA, Para utilizar con las ruedas montadas, Color: Negro

FBT XS-CH 15S, Funda, Adecuada para FBT X-Sub 115SA, Para utilizar con las ruedas montadas, Color: Negro

FBT SL-CH 118, Funda guardapolvo, Funda para FBT Subline 118 con ruedas

go-e Charger Géminis 2.0 El go-e Charger Géminis 2.0 con tarjeta SIM integrada ya está aquí. El punto de recarga fija ofrece hasta 11 kW de potencia de carga para carga monofásica y trifásica a partir de 1,4 kW. El inteligente Wallbox con una conectividad

Schaller BM Light 1L CH, Clavija de Afinación Individual para Bajo Eléctrico, Configuración: Una izquierda, Fabricada en carbono y latón de alta calidad, Reducción de peso significativa en comparación con las clavijas de afinación para bajo convencionales

Schaller 10020223.02.52, M6 Locking 135 3L/3R C New, Set de clavijas de afinación para guitarra eléctrica y acústica, Schaller Art. Nr: 110020223.02.52, Mecánica Premium sin desgaste y ultra-precisa Velvet-Tec™ y LX6-Lube™ para una precisión y confort de

TonePros ABR1 Bridge Replacement Set CH, Replacement Bridge Set for LP-Style Guitars, Tune-O-Matic version, Direct replacement for ABR-1-style bridges (AVR2), Aluminium tailpiece for Tune-O-Matic bridges with locking mechanism (T1ZSA), Fits most vintage a

Millenium CH-13 13" Hi-Hat Pad, Pad de Hi-Hat de 13", Modelo con doble zona, Color: Negro, Incluye clutch y controlador de Hi-Hat@+ Nota: Solo compatible con el modelo Millenium MPS-1000

go-e Charger géminiflex 2.0 El go-e Charger Gemini flex 2.0 con tarjeta SIM integrada ya está aquí. El punto de recarga móvil ofrece hasta 22 kW de potencia de carga para carga monofásica y trifásica a partir de 1,4 kW. La inteligente Wallbox con una cone

El go-e Charger Gemini flex con una potencia de carga máxima de 11 kW es una estación de carga inteligente de diseño elegante para cargar vehículos eléctricos e híbridos enchufables tanto en interiores como en exteriores. La caja mural puede instalarse si

-100V un MOSFET de potencia de canal P HEXFET en una carcasa TO-220AB Descripción: El IRF9520NPBF es un canal H EXFET® Power MOSFET de 100V de un solo canal, un HEXFET de quinta generación que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una re

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Convertidores dc-dc de alta frecuencia Panel de pantalla de plasma Beneficios Carga de puerta a drenaje baja para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Cámara Aqara E1: Visión más inteligente para una casa más segura Calidad de imagen superior y seguimiento de PT La E1 cuenta con un sensor de 2K y una lente gran angular f/2.0 para una excelente calidad de imagen, y ofrece una visión de 360°, así como un

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Aplicaciones para acc

Báscula colgante con mango y gancho de acero inoxidable. Con cinta métrica extraíble, 100 cm. Legibilidad: 100 g Gama de pesado: Máx. 50 kg Carcasa: 90x30x157mm (con gancho de 270 mm) Pantalla LCD, altura de cifras: 11 mm Peso: 250 g - Programa de ajuste

N-CANAL 60 V (D-S) MOSFET Características: • Libre de halógenos según IEC 61249-2-21-1 • TrenchFET® Power MOSFET • 100% RG y UIS probado • Categoría del material: Para definiciones de conformidad, ver www.vishay.com/doc?99912 Aplicaciones: • Interruptor d

HiPerFET™ Performance MOSFET ahora también está disponible como clase Q. En esta serie se ha conseguido una menor capacidad de entrada gracias a un nuevo chip. Esto permite que el transistor también se active a altas frecuencias con una potencia de activa

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Especificació