Ch (1.267)

MOSFET de potencia de baja tensión totalmente protegido con tecnología VIPower Funciones de protección integradas contra sobretensión, exceso de temperatura y cortocircuito Salida de estado integrada, limitación de corriente y protección contra DES

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado �Complant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

Aplicación • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones para accionamientos de motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentació

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad d

MOSFET de canal N. Características �Tecnología avanzada de tendencias de alta densidad celular. �Carga de puerta baja. Aplicación Sistema de alimentación de CC-CC de red. �Interruptor de carga •Nota: Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla Sin plomo

IRFB4115PBF , HEXFETMOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la robustez de la puerta, la avalancha y el dv/dt dinámico • Capacidad totalmente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad dV/dt y dI/dt del diodo de cuerpo • Sin plomo • Conforme a

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

N-CANAL 100-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 disponible TrenchFET® Power MOSFET 100% UIS probado APLICACIONES Alta Frecuencia Boost Converter Retroiluminación LED para TV LCD

Descripción Este POWER MOSFET es la última evolución del exclusivo proceso Single Feature Size™ basado en tiras de STMicroelectronics. El transistor resultante tiene una densidad de empaque extremadamente alta para una baja resistencia a la ON, propiedade

MOSFET de potencia PowerTrench Este MOSFET de canal N se ha fabricado con el avanzado proceso de Power Tach de Fairchild Semiconductor, diseñado para minimizar la resistencia al arranque, manteniendo al mismo tiempo una excelente potencia de conmutación.

Alimentación MOSFET CARACTERÍSTICAS • La baja carga de puerta Qg hace que el accionamiento sea sencillo • Puerta, avalancha y dV/dt dinámico mejorados Robustez • Capacitancia y tensión y corriente de avalancha totalmente caracterizadas • Coss efectivo esp

IXTP80N10T, MOSFET de potencia TrenchTM Características: • Resistencia de conexión ultra baja • Evaluación de Avalon • Baja inductancia de la carcasa: Fácil de usar y proteger • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Diodo intrínseco rápido Ventajas • Fá

MOSFET de potencia de canal N de 30 V

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

Transistor MOSFET N-CH 80 V 39 A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

IGW50N65H5 IGBT de alta velocidad de 650V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías por resonancia • Sustituc

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquete

IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como

Autobloqueo Baja resistencia de encendido Bajas pérdidas de conmutación

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado �Complant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

N-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Notebook System Power Corriente baja DC/DC

MOSFET de potencia HEXFET Aplicaciones Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas Mejora de

Descripción • Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N en una carcasa de plástico SOT23 pequeña (TO-236AB) con dispositivo montado en superficie (SMD), utilizando la tecnología MOSFET de separación. Características y venta

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan

MOSFET de potencia UniFET UniFETM MOSFET es la familia de MOSFET de alta tensión de ON Semiconductor, basada en la tecnología Planar Stripe y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia al arranque y ofrecer una mejor potencia de conmutaci

N- Y P-CANAL 60-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 disponible TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES CCFL Inverter

N- Y P-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Convertidor DC/DC Interruptor de carga

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Transistor MOSFET P-CH 150 V 13 BIS 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo

L6384ED aus der L6384E-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate

MOSFET de potencia PowerTrench, específico Este MOSFET de canal P especificado para 1,8 V utiliza el proceso onsemi de baja tensión de la transmisión de baja tensión. Está optimizado para aplicaciones de gestión de la alimentación de la batería. Caracterí