Ch (1.267)

N-Canal 100V, Tipo 9,0m, 110A STREFFET™ II Power MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Aplicaciones Conmutación de aplicaciones

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

STREFFET™ II POWER MOSFET Este POWER MOSFET es el último desarrollo de El único "Single Feature Size™" de STMicroelectronic Proceso basado en striptease. El transistor resultante Tiene una densidad de embalaje extremadamente alta para una baja resistencia

Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes ba

Descripción Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la c

N-Channel 900 V, tipo O 1,56, 5,8 A SuperMESH™ Power MOSFET Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS � Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �Complant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC �Libr

DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es de uso universal para tod

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Nivel lógico Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Nivel lógico Carga de puerta baja para un cambio rápido PROTEGIDO CONTRA ESD 2,5KV (HBM) Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicacione

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �Complant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC �Libre de halógenos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de p

N-Channel 650 V, 0.270 O, 12 A MDmesh™ V Power MOSFET Características DPAK Worldwide Best RDS(on) Calificación VDSS más alta Alta capacidad DV/dt Excelente rendimiento de conmutación Fácil de conducir 100% Avalanche probado Aplicación Conmutación de aplic

DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

IRF9Z34N , HEXFETPOWER MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto c

Transistor MOSFET N-CH 55 V 27A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

MOSFET de potencia clase X3 HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido

PB-free Halide free

Transistor Transistor de efecto de campo de nivel lógico de canal p. • Carcasa: SOT-23

Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(ON) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ah

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Transistor MOSFET N-CH 150 V 51 A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

IRFS7730-7PPbF, StrongIRFET™ Ventajas: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo, compatible con RoHS Aplicaci

MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja f

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema • Controlador de motor CC

Transistor MOSFET N-CH 75 V 42A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

N-Channel SiC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

IRFZ34N. MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la vel

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad d

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clie

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obedi

La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industri