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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Caract

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

Carga de puerta baja STREFFET™ II Power MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Caracterización orientada a la aplicación Descripción Esta serie MOSFET realizada con el proceso STTripFET único de STMicroelectronics ha sido diseñada

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuito de potencia de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámic

HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y

MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicacione

HEXFET® Power MOSFET Beneficios Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida P-Channel Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Power MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de Inte

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 dispositivo de alimentación de separación de SiC El CoolSiC™ de 650 V se basa en la tecnología de carburo de silicio macizo desarrollada por Infineon en más de 20 años. El CoolSiC™ MOSFET de 650V aprovecha las características del

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robu

HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advan

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Aplicaciones de control de movimiento Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios La baja RDSON reduce los l

Características • Carcasa estándar internacional • Diodo intrínseco rápido • Baja productividad del chasis: Fácil de controlar y proteger • Puesta en marcha inductiva sin conexión (UIS) valor nominal Ventajas • fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta d

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOS

CANAL P 60 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET Nuevo paquete PowerPak® de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07 mm

N-Channel 800 V, 3,5 O tipo., 2 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs Características • El área RDS(ON) * más baja de la industria • La mejor figura de mérito de la industria (FOM) • Cargo de puerta ultra bajo • 100% avalancha probada • Zener-protegido Aplicaciones

Aplicaciones • Aplicaciones para el control de movimiento • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • La RDSON baja reduce las pérdidas • La

STREFFET™ II POWER MOSFET Características �Excepcional capacidad dv/dt �100% avalancha probada �Conducción de umbral bajo Descripción Esta serie MOSFET realizada con el proceso STTripFET único de STMicroelectronics ha sido diseñada específicamente para mi

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Sin plomo

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Aplicaciones de control de movimiento Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios La baja RDSON reduce los l

Transistor MOSFET N-CH 55 V 2,8 A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223

OMNIFET": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Características: LÍMITE LINEAL CURRENT CORTOCIRCUITO TÉRMICO DOWN PROTECCIÓN DE CIRCUITO CORTO CLAMP INTEGRADO BAJA CURVA DESDE EL PIN DE ENTRADA INFORMACIÓN DE DIAGNÓSTICO A TRAVÉS DEL PIN DE ENTRADA PROTECCIÓN

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

MOSFET de potencia HEXFET Aplicaciones Convertidor dc-dc de alta frecuencia Sin plomo

IKP15N65F5 DuoPack rápido de 650V IGBT y diodo: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología de alta velocidad F5 TRENCHSTOP™ • Máxima eficiencia de clase con

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET de Conmutación Rápida CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFETs Nuevo paquete PowerPak® de baja resistencia térmica con perfiles bajos de 1,07 mm PWM optimizado para una conmutación rápida 100% RG probado APLICACIONES Interrupto

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza p

Características • Parámetros de clave optimizados para audio de clase D. Aplicaciones de amplificador • RDSON bajo para una mayor eficiencia • QG y QSW bajos para un mejor THD y mejorado Eficiencia • QRR bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor

Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • Canal N. • Modo de empobrecimiento • adecuado para dv /dt • Revestimiento de plomo sin PB; compatible con RoHS • Libre de halógenos según AEC61249-2-21 • Cualificado según AEC Q101

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obedi

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacitancia continua y tensión de avalancha y corriente actual • Disponibilida

MOSFET de potencia PowerTrench Estos MOSFET de canal N especificados para 100 V están fabricados con el proceso de PowerLeuch avanzado de onsemi, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al arranque, pero manteniendo una carga de puerta baja

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Compatible con RoHS, sin halógenos

600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de haló

Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura operativa de 150 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de proces

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo

MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo

Transistor MOSFET N-CH 55 V 56A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK