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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

Carcasa: SOT-23

MOSFET de señal pequeña Características Protegido contra ESD RDS(on) bajo Carcasa montada en la superficie Prefijo 2V para automoción y otras aplicaciones, requisitos especiales de cambio de ubicación y control, certificación AEC-Q101 y compatible con PPA

Aplicaciones: • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas: • Puerta mejorada • Solidez de

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Aplicaciones para acc

HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño r

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

MDmesh™ K3 Power MOSFETs Características 100% avalancha probada Extremadamente alta capacidad dv/dt Capacitancia intrínseca muy baja Características mejoradas de la recuperación inversa del diodo Zener-protegido Descripción Estos MOSFET MDmesh™ K3 Power s

Potencia MOSFET montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporc

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

MOSFET de potencia StripFET™ F6 Este MOSFET de potencia de canal N se ha desarrollado utilizando la tecnología StripFET™ F6 con una nueva estructura de puerta de separación. El MOSFET de potencia resultante tiene un RDS(on) muy bajo en todos los chasis. C

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta cor

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR220, SiHFR220) • plomo recto (IRFU220, SiHFU220) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materi

N-canal 500 V, 0,48 ohmios, 10 A Zener protegido SuperMESHTM Power MOSFET Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% Avalanche probado Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Aplicación Conmutación de aplicaciones

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

Transistor MOSFET N-CH 100 V 88 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • P-Channel • modo de mejora • Avalancha crated • dv /dt rated • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo

N-CANAL 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFETR Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Rectificación síncrona POL, IBC - Lado secundario

MOSFET de potencia HEXFET Características Impedancia de puerta baja RDS(on) muy bajo con VGS de 10 V. Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones MOSFET síncrono para el rendimiento del procesador de portátiles MOSFET de rectif

Potencia de separación MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Capacidad de manejo de alta corriente Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de monta

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

N-Channel 500V - 0.34O - 14A Zener-protegido SuperMESHTM Power MOSFET Características generales Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabri

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

MOSFET de potencia de canal N. Características Cambio rápido Revestimiento sin plomo Compatible con RoHS Sin halógenos Aplicaciones Trabajo en red Interruptor de carga Iluminación

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

SiHP22N60E E-Series Power MOSFET Características: • Figura clave baja (FOM) Ron x Qg • Capacitancia de entrada baja (CISS) • Reducción de las pérdidas de conmutación y línea • Carga de puerta extremadamente baja (Qg) • Evaluación de Energía de Avalanche (

Transistor de efecto de campo Canal N, modo de enriquecimiento Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología DMOS de alta densidad celular desarrollada por Onsemi. Estos productos se han diseñado

CANAL P 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptores de carga Interruptor de batería

Autobloqueo Baja resistencia de encendido Bajas pérdidas de conmutación

HEXFET® Power MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sustain,

MOSFET de potencia Canal N QFET Este MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento está fabricado con tecnología patentada de bandas planares y DMOS de Fairchild Semiconductor. La tecnología MOSFET avanzada de iese se ha diseñado específicament

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta potencia, desarrollada según el principio Super Junction(SJ) y desarrollada por Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para la relación calidad-precio que pe