Ch (1.265)

Tecnología G2R. Resistencia de conexión/dependencia de la temperatura más suave Diseño optimizado desde el punto de vista electromagnético Baja capacidad Resistencia a cortocircuitos líder de la industria Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Fuente Kelvin

STREFFET™ II POWER MOSFE Características generales �RDS TÍPICO(ON) = 0.060 ƒ¶ �DISPOSITIVO DE NIVEL LÓGICO MONTAJE EN SUPERFICIE DPAK (TO-252) DESCRIPCIÓN Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "Singl

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

La familia de MOSFETs de potencia IR utiliza procesos de silicio de eficacia probada y ofrece a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para diversas aplicaciones, como motores de CC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y apli

HEXFET Power MOSFET Aplicaciones Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS Fuente de alimentación ininterrumpida Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos conmutados y de alta frecuencia Beneficios Mejorado Gate, Avalanche y Dynamic DV/d

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

N-channel 600 V, 0,135 O tipo., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET en paquetes D²PAK y TO-220 Descripción Estos dispositivos son MOSFETs de alimentación de canal N desarrollados utilizando la tecnología MDmesh™ de segunda generación. Este revolucionario MOSFET

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Los MOSFET de potencia HEXFETA avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rá

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Mejora de la transconductan

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

Descripción Los transistores de efecto de campo de rendimiento de modo de enriquecimiento de nivel lógico SuperSOTTM-3 N-Channel se fabrican con la tecnología DMOS patentada de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad se debe

MOSFET de potencia P-Channel Características �Conmutación rápida �Se ha Supped para aplicaciones de accionamiento de puerta de -1.8V. �Libre de halógenos Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

STP20NK50Z - STW20NK50Z; STB20NK50Z - STB20NK50Z-S. La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de reducir significativamente la resistencia al encendido, se ha prestado espec

Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación ráp

Interruptor de alimentación Smart Highside Canal N de FET de potencia vertical en chip Smart SIPMOS en tecnología de chip. • Entrada de nivel lógico • Protección ESD • Desconexión térmica con bloqueo • Protección contra sobrecarga, cortocircuito y sobrete

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sus

Modo de implementación MOSFET Características • Normally ON mode • Paquetes internacionales estándar • Clasificación de inflamabilidad de epoxies Molding Meet UL 94 V-0 ADVantages • Fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia Aplicacio

N-Channel 900 V, 3,6 O tipo., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación d

IRF9640S , MOSFET DE POTENCIA Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El D2PAK (TO-263) es una caja de alimentació

MOSFET de potencia HEXFET Resistencia ON ultrabaja Montaje en superficie Conmutación rápida Clasificado para avalanchas Sin plomo

TSM2312 Canal 20V N tipo de enriquecimiento MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos de separación Diseño de celda de alta densidad para una resistencia de arranque extremadamente baja

Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • N-channel • modo de implementación • dv /dt rated • Disponible con indicador VGS(th) en la reel • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101

MOSFET de potencia Modo de ampliación de canal N. Evaluación de Avalon Rectificador Intrinsic rápido Características Carcasa estándar internacional MiniBLOC, con aislamiento de nitruro de aluminio Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tensión de aislamien

N-CANAL 1000V - 1.60O - 6.5A - BIS-220 Zener protegido SuperMESH™ MOSFET Descripción La serie SuperMESH™ se logra mediante la optimización extrema del bien establecido diseño de ST basado en PowerMESH™. Además de la importante reducción de la resistencia

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MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

Transistor MOSFET N-CH 55 V 4,4BIS 4 clavijas (3+Tab) SOT-223

Aplicaciones: • Convertidor CC-CC de alta frecuencia • sin plomo Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para Simplificar el diseño (consulte el anexo

IRLR024NPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripciones: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de sili

Aplicaciones: • Rectificación síncrona • Oring activo • Sin plomo Ventajas • Resistencia de conexión extremadamente baja • Impedancia de compuerta baja para reducir las pérdidas de conmutación • Evaluación completa de Avalon

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Especificació

Transistor MOSFET N-Ch 30 V 4,9A SO-8

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt Rating Avalancha repetitiva aconsejada Montaje en superficie (IRFR9220, SiHFR9220) Disponible en cinta y reel P-Channel Conmutación rápida DESCRIPCIÓN La tecnología de MOSFET de potencia es la clave para visha

STREFFET™ F6 Power MOSFETs Características Muy baja resistencia Muy bajo precio de puerta Alta resistencia a las avalanchas Baja pérdida de potencia de accionamiento de puerta Descripción Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal P desarrollados

MOSFET de potencia P-Channel Características �conmutación rápida �Se ha Supped para aplicaciones de accionamiento de puerta de -1.8V. �Libre de halógenos Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

MOSFET de potencia de canal de 20V N

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada