Ch (1.265)

MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas • Sin plomo Aplicaciones: • Optimizado para aplicaciones UPS/inversor • Convertido

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N-CANAL 100 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES DC / DC interruptor lateral primario Telecomunicaciones/Servidor Industrial Rectificación síncrona

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

• Canal p. • Modo de enriquecimiento • Evaluación de Avalon • Nivel lógico • con calificación dv/dt • Chapado de plomo sin PB; compatible con RoHS • Cualificado según AEC Q101 • Sin halógenos IEC61249-2-21

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal p. Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

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MOSFET de potencia HEXFET Aplicaciones Convertidor dc-dc de alta frecuencia Sin plomo

MOSFET de potencia P-Channel

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

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MOSFET de potencia SUPERFET II, FRFET SUPERFET II MOSFET es la nueva familia MOSFET de alta tensión Super-Junction (SJ) de Semiconductor, que utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una resistencia especialmente baja y una carga de puert

HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías d

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MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo

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STREFFET™ II Power MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Descripción Estos MOSFET de potencia se han desarrollado utilizando el proceso STTripFET único de STMicroelectronics, que está diseñado espe

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

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IXFN82N60P. MOSFET de potencia Modo de ampliación de canal N. Evaluación de Avalon Rectificador Intrinsic rápido Características • Paquete internacional estándar • MiniBLOC, con aislamiento de nitruro de aluminio • Evaluación dinámica dv/dt • Evaluación d

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Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

MOSFET de alimentación de canal de 30 V N

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �tecnología de superUnión �Alto rendimiento debido a la reducida configuración del mérito �Altas prestaciones �Alto rendimiento de conmutación �100% UIL comprobado �PB-free plating �Complant to RoHS Directive

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva montaje en superficie (IRFR9014, SiHFR9014) Disponible en cinta y reel P-channel conmutación rápida DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fá

IRF740, MOSFET de potencia Descripciones: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida p

MOSFET de potencia HEXFET de canal P simple de 100V en una carcasa D2-Pakt Descripción: Las características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 150 °C, una velocidad de cambio rápida y una tasa de repetición de Avalon

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10 amperios, 400 voltios, 0,55 OHMIOS, MOSFET de potencia de canal N. MOSFET de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento MOSFET es para aplicaciones de alta tensión y conmutación de alta velocidad Aplicaciones de conmutación com

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N-Channel 600 V, 0.135 O tipo., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET Características 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta Aplicaciones Conmutación de aplicaciones

Características • Diseño de celda de alta densidad para RDS(ON) bajo • Interruptor de señal pequeña controlado por tensión • Rugged y reliable • Alta capacidad actual de saturación