Ch (1.264)

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

IRFBG20, MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La

Transistor • Ganancia de canal de 20V N MOSFET • Carcasa: SOT-23

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

Potencia MOSFET ISOPLUS247TM (Superficie posterior aislada de forma eléctrica) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquete aislado estándar internacional paquete UL reconocido Silicon chip en sustratos de

CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptor de carga POL

BUZ 11, potencia de canal N MOSFET 50 V, 30 A, 40 mO Descripción Se trata de un transistor de efecto de campo de entrada de silicio de canal N en modo de acumulación diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación,

N-CHANNEL 60V - 0.012O - 60A - STREFET™ II POWER MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Rango de funcionamiento de 175°C. Conducción de umbral bajo Aplicaciones Aplicac

Zener-protegido SuperMESH™ Power MOSFET Características Diseñado para aplicaciones automotrices y AEC-Q101 calificado Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena

MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densid

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

CANAL P 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET Baja resistencia para baja caída de voltaje Extendida VGS máx. Clasificación: 25 V. 100% RG y UIS probado APLICACIONES Interruptores de batería, carga y adaptador - Ordenadores portátiles -

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Convertidores de frecuencia síncronos de alta para alimentación del procesador de equipos Convertidores dc-dc aislados de alta frecuencia con reconocimiento síncrono para telecomunicaciones y uso industrial Sin plom

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Fuente Kelvin 3-7: Fuente Caso: Drenaje

Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

N-Channel SIC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

BiMOSFET de alta tensión y alto amplificador Transistor de MOS bipolar monolítico Características: • Diodo de retorno rápido monolítico • Alta tensión de bloqueo • JEDEC TO-268, carcasa de montaje superficial y JEDEC TO-247 AD • Pequeñas pérdidas de cambi

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

N-Channel 600 V, 0,85 O tipo., 7 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características � Extremadamente alta capacidad dv/dt �Mejora de la capacidad ESD �100% avalancha probada �Se minimizó la carga de la puerta �Capacidades intrínsecas muy bajas Apli

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

Transistor MOSFET P-CH 20 V 9 A SO-8

MOSFET de potencia PowerTrench Este MOSFET de canal P se ha fabricado utilizando el proceso de PowerLead patentado de Fairchild Semiconductor para lograr un RDS(on) bajo y una capacidad optimizada de Bvdss, proporcionando así una ventaja de rendimiento su

HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combin

Transistor MOSFET N/P-CH 30 V 4A/3A SO-8

MOSFET de potencia de bajo voltaje totalmente protegido en tecnología VIPower Funciones de protección integradas contra sobretensión, sobretemperatura y cortocircuito Salida de estado integrada, limitación de corriente y protección ESD

MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Caract

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sus

MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como

Transistor Transistor de efecto de campo de nivel lógico de canal N. • Carcasa: SOT-23

MOSFET de potencia P-Channel CARACTERÍSTICAS �Mejora de la capacidad DV/dt �conmutación rápida �100% EAS garantizado �PB-free plating �Compatible con RoHS �compuesto de mold libre de halógenos APLICACIÓN �Accionamiento del motor �Power Tools �Iluminación

Alimentación HEXFET MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en P

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

La tercera generación de MOSFET DE potencia de VISHAY ofrece al desarrollador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El gabinete TO-247AC se prefiere para aplicaciones comerciales e industriales donde

Transistor MOSFET P-CH 100 V 23 A. 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápid

Canal N 1500 V - 2.5R - 8 A - TO-247 muy alta tensión PowerMESH™ Potencia MOSFET atributos A prueba de avalanchas al 100 Robustez de la aludes Carga de la puerta minimizada Capacidades propias muy bajas interruptor de alta velocidad Muy baja on-resistenci

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

MOSFET DE CANAL DE 30 V N Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Interruptor de carga �Interruptor PA

2SK 2996

STREFFET™ II POWER MOSFET Características �Excepcional capacidad dv/dt �Tarifa de puerta baja Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único "tamaño de función única" proceso basado en tiras. El transistor resultante mue