Ch (1.265)

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-

Interruptores de lado bajo Entrada de nivel lógico protección térmica Surge protección contra sobrecarga protección de circuito corto

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características International Standard Package Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta

IRFB3607PBF , HEXFET MOSFET de potencia Ventaja: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones: • Rectificación s

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones típicas Alternador de arranque integrado 42 Volts Automotive Electrical Systems Sin plomo Beneficios Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmut

N-Channel 250V - 0.055O - 45A baja carga de puerta STREFFET™ Power MOSFET Características 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Baja capacidad intrínseca Aplicación Conmutación de aplicaciones

Transistor de potencia SIPMOS Operación N-Channel modo de mejora Nivel lógico dv/dt rated PB Free lead Plating; compatible con RoHS Clasificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249221

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

MOSFET de potencia PowerTrench Características Carga de águila baja Diodo corporal de bajo valor Qrr (carga recuperada inversa) Capacidad UIS (impulso único e impulso repetido) Aplicaciones Rectificación síncrona Circuitos de protección de la batería Acci

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta corriente Dio

MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Cambio rápido Sin plomo

IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es g

Transistor MOSFET N-CH 30 V 13,6A SO-8

MOSFET de potencia TrenchT2 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Temperatura de funcionamiento del rectificador casi Intrinsic 175 °C. Capacid

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robu

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

STREFFET™ Power MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Cargo bajo de la puerta en 100�{C �Dispositivo de nivel lógico �Conducción de umbral bajo Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proc

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob

Aplicaciones • De sincronización de alta eficiencia SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dinám

N-Channel 60V - 11.5Mo - 60A - STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Puerta de entrada de nivel estándar 100% avalancha probada Aplicaciones Aplicación de conmutación

Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia a la conexión y rentabilidad. La caja TO-247 es la opción preferida para aplicacio

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado APLICACIONES DC/DC - Lado alto - VRM - POL - Servidores

MOSFET de potencia de canal de 20V N

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de monta

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo

Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. MOSFET de potencia utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio.

Transistor de señal pequeña SIPMOS • Canal N.

SuperMESH™ Power MOSFETs Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacitancia intrínseca muy baja Zener-protegido Descripción Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de Potencia N-

MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La caja TO-220 es general

Harley Benton PartsBS113F Vintage Tremolo Ch, Sistema de trémolo, Con bloque de sustain de cinc, Selletas de estilo Vintage, Orificios avellanados para cuerdas, Espaciado entre cuerdas de 11mm, Incluye palanca de trémolo, muelles, garra para muelle y llav

Alimentación HEXFET MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en P

La serie LM741 es un amplif operativo general que mejora el rendimiento de los estándares de la industria como el LM709. Son direct, plug-in replacements for the 709C, LM201, MC1439, y 748 in most applications.

Convertidor digital-analógico con salida de tensión de 8 bits Con EEPROM e interfaz I2C™ Descripción: MCP4706 es un convertidor analógico/digital de 8 bits de un canal con salida de tensión, EEPROM integrado y una interfaz serie compatible con I2C. La fam

Convertidor a/D. • 18 bits • 1 canal • 15 plc Carcasa: SOT-23-6 Fabricante: Microchip

Convertidor digital-analógico con salida de tensión de 10 bits con EEPROM e interfaz I2C™ Características: • Resoluciones de tensión de salida: 10 bits • Salida rail-to-rail 10 bits • Salida de carril a carril • Tiempo de estabilización rápido de 6 micros

Convertidor digital-analógico de 12 bits con memoria EEPROM El MCP4725 es un convertidor digital-analógico (DAC) de salida en tensión de 12 bits, con buffer, monocanal, de bajo consumo y alta precisión con memoria no volátil (EEPROM). (EEPROM). Su amplifi