Ch (1.266)

Aplicación • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Panel de visualización de plasma • Sin plomo Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Completamente caracterizado, incluyendo COSS eficaz para simplificar el diseño

MOSFET de canal doble N. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Conversión de CC/CC de lado alto �Portátil �Sever Nota: "G" denote for Green product

MOSFET de potencia de canal N. Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Nivel lógico Carga de puerta baja para un cambio rápido PROTEGIDO CONTRA ESD 2,5KV (HBM) Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplica

IRF5210S , HEXFET® MOSFET DE POTENCIA Descripción Este diseño se caracteriza por una temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 150 °C, una alta velocidad de conmutación y una calificación de repetición de avalancha mejorada. Estas característica

HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced proces

MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB se pre

Transistor de efecto de campo Canal N, modo de enriquecimiento Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología DMOS de alta densidad celular desarrollada por Onsemi. Estos productos se han diseñado

N-canal 800 V, tipo 0,37 O, 12 A MDmesh™ K5 POWER MOSFETs En D²PAK, TO-220FP, TO-220 y TO-247 Descripción: Estos MOSFET de potencia de canal N de voltaje ultra alto están diseñados utilizando la tecnología MDmesh™ K5, que se basa en una innovadora estruct

IRF3710S , HEXFET® MOSFET DE POTENCIA Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Est

DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión de la al

IRFPE50, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La caja TO-247AC se utiliza preferentemente pa

IKO25N120T2 DuoPack IGBT y diodo de baja pérdida de 1200V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ con diodo de emisión controlado, de recuperación rápida y suave • Resistencia a cortocircuitos - 10 micros • Diseñado para: - Convertidor de frecuencia - Sistema de

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las a

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

IRFP150 , MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La caja TO-247AC se utiliza preferentemente p

Potencia de audio digital HEXFET MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS Aplicaciones de destino: Accionamiento con batería Audio clase D. Puente completo de consumo Puente completo Push-pull

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Dynamic dv/dt Rating Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic QG bajo RDS bajo (ON) Baja capacidad de drenaje a separador Inductancia de paquetes bajos

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Topología invertida PWM Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de la

Diseño: TO-247 Tensión de drenaje a fuente (Vdss): 300 V. Corriente - corriente continua: 50a (TC) VGS: +-30 V Rango de temperatura: -55 ... +150 °C. Potencia: 690 W. RDS: 0,08 ohmios Tipo: Canal N.

Carga de puerta baja STREPFET™ Power MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt �Tarifa de puerta baja �100% avalancha probada Descripción Esta serie POWER MOSFET realizada con el proceso STTripFET™ único de STMicroelectronics ha sido diseñada esp

MSC750SMA170S, 1700 V, 750 mOhmios, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápid

HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor primario lateral en topología de puente en entrada universal (36-75Vin) convertidores dc-dc aislados Interruptor primario lateral en Topología push-pull para convertidores dc-dc aislados de 18-36 Vin Int

MOSFET de potencia SuperFET FRET MOSFET SuperFET MOSFET es la primera generación de la familia MOSFET (SJ) de alta tensión de Fairchild Semiconductor que utiliza la tecnología de equilibrio de carga para un rendimiento excelente con una resistencia baja y

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como

MOSFET de potencia de canal P de 30 V

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