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Transistor MOSFET N/P-CH 55 V 4,7A/3,4A SO-8

Bajas pérdidas de conmutación gracias a los tiempos de cambio cortos y al R DS más pequeño (ON)

N-CANAL 40-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Convertidores DC/DC - Síncrono Buck - Rectificador síncrono

OMNIFET": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Características LÍMITE LINEAL CURRENT CORTOCIRCUITO TÉRMICO DOWN PROTECCIÓN DE CIRCUITO CORTO CLAMP INTEGRADO BAJA CURVA DESDE EL PIN DE ENTRADA INFORMACIÓN DE DIAGNÓSTICO A TRAVÉS DEL PIN DE ENTRADA PROTECCIÓN E

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • paquete aislado • aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz) • Separación de derivación a aumento de distancia = 4.8 mm • Dynamic DV/dt rating • Baja resistencia térmica • Material categorization: For d

HEXFET Power MOSFET Tecnología de Proceso Avanzada montaje en superficie 175°C Temperatura de funcionamiento Cambio rápido Clasificación completa de la avalancha sin plomo

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Estos tipos de transistores de efecto de campo de modo de potencia de canal N tienen bajas pérdidas de línea, alta impedancia de entrada, alta velocidad de conmutación y características de transmisión lineal, por lo que se utilizan en una amplia gama de a

MOSFET de potencia de canal N. Características �tecnología de superUnión �Alto rendimiento debido a la reducida configuración del mérito �Altas prestaciones �Alto rendimiento de conmutación Aplicación �Suministro de alimentación. �Iluminación Nota: "G" de

MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFEts de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velo

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Aplicaciones • Interruptor primario en topologías de puente o de dos interruptores hacia delante con 48 V (±10%) o 36 V a 60 V de entrada ETSI. • Interruptor rectificador síncrono del lado secundario para salida de 12 V. • Adecuado para aplicaciones dc-dc

IRS2304SPBF aus der IRS2304-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet

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Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea

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Aplicación • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Panel de visualización de plasma • Sin plomo Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Completamente caracterizado, incluyendo COSS eficaz para simplificar el diseño

MOSFET de canal doble N. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Conversión de CC/CC de lado alto �Portátil �Sever Nota: "G" denote for Green product

MOSFET de potencia de canal N. Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo

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DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

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