Ch (1.265)

IRFB4020PBF, MOSFET de audio digital Descripciones: Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Este MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia

N-Channel 800V - 1.9O - 4.3A - Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características generales 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicaciones Aplicación de c

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Alimentación HEXFET MOSFET Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible con técnicas de montaje en superficie para la exposición Compatible con RoHS, libre de halógenos MSL1, cualificación industrial

N-Channel 100 V, 0,0036 O tipo., 110 A, STREFFET™ F7 Power MOSFETs Características • Entre las RDS(ON) más bajas del mercado • Excelente figura de mérito (FOM) • Baja relación CRSs/CISS para inmunidad EMI • Alta resistencia a las avalanchas Aplicaciones •

MOSFET de potencia STripFET™ de baja carga de puerta Características generales Excepcional capacidad dv/dt Baja carga de puerta 100% a prueba de avalanchas descripción Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el exclusivo proceso STripFET™ de STMicr

N-canal 600V - 0.65O - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener protegido SuperMESH™ Power MOSFET La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de reducir significativamente la

N-Channel 1000V - 0.56O - 13A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET Características generales Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilida

Aplicaciones • De sincronización de alta eficiencia SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dinám

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio Tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta cor

HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR5305) Plomo recto (IRFU5305) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva P-channel conmutación rápida Ease de paralelismos DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a

Propiedades: • Pérdida de potencia: 350 mW • Carcasa de plástico: TO-92 (10D3) • Peso aprox.: 0.18 g • Material de la carcasa clasificado UL94V-0 • Forma estándar de entrega con cinta en paquete de Ammo

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alimentación del procesador MOSFET síncrono para portátiles Rectificador síncrono MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible c

Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

N-Channel 1500 V, 5 O, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET Características 100% avalancha probada Capacidades intrínsecas y Qg minimizadas Conmutación de alta velocidad Paquetes de plástico totalmente aislados TO-3PF La trayectoria de distancia de la propagación

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

HEXFET® Power MOSFET Descripción Los MOSFET de potencia avanzada HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a través del área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de

MOSFET de potencia HEXFET® Descripción Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para obtener una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de

MOSFET de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento Está diseñado para circuitos de alta tensión y alta velocidad de potencia, así como para aplicaciones como reguladores de conmutación, transformadores de conmutación, bobinas ma

Potencia MOSFET Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Proceso PolarPTM rugged Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantage

MOSFET de potencia PowerTrench Estos MOSFET de canal N+P están fabricados con el avanzado proceso de onsemi Power Metch, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al arranque, pero manteniendo una carga de puerta baja para una excelente poten

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de f

N-Channel SIC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y e

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de Ga

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutació

SIPMOS MOSFET de potencia Características Canal p. Modo de enriquecimiento Con capacidad de avalancha Cambio rápido Con calificación DV/dt Revestimiento de plomo sin PB Compatible con RoHS, sin halógenos Cualificado según AEC Q101

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Convertidor DC/DC - Cuaderno Vcore - POL

Transistor MOSFET N-CH 55 V 47 A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

N-Channel 500 V, 0,1 Ohm Tipo, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET Características 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta Aplicaciones Conmutación de aplicaciones

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión de la al

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo casi Intrinsic Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Resistencia de puerta Intrinsic baja Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Dynamic dv/dt Ratin

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

IRF520, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-22