Ch (1.265)

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �proceso planar avanzado �se ha comprobado el valor 100% �Low RDS(ON) 8R (típ.) �Carga típica de puerta baja a 6.1 NC (tipo) �Baja Crss típica @4.2pF (típ.) APLICACIÓN �Suministro de alimentación �Iluminación

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo

IRFR1018EPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones • Rectificación sí

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para

BSS84P, TRANSISTOR DE SEÑAL PEQUEÑA SIPMOS Características: • Canal p. • Modo de enriquecimiento • Nivel lógico • Valor de Avalon • con calificación dv/dt • Chapado de plomo sin PB; compatible con RoHS • Cualificado según AEC Q101 • Libre de halógenos seg

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características • International standard package • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitr

IKZ75N65EH5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Conmutación con pérdidas e

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �diseño celular de alta densidad para una resistencia ultra baja �PB-free plating �Complant to RoHS Directive 2011/65/UE and in accordance to WEE2002/96/EC �Libr

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220 se prefi

Alimentación HEXFET MOSFET Descripción: Estos MOSFET de potencia HEXFETPOWER de canal P de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por rango de silicio. Esta ventaja prop

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Notebook CPU Core - Interruptor de lado alto

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

MOSFET de potencia P-Channel CARACTERÍSTICAS �conmutación rápida �Posible para aplicaciones de accionamiento de puerta de -1.8V. �PB-free plating �Compatible con RoHS �compuesto de mold libre de halógenos APLICACIÓN �Paquete de baterías �Dispositivos port

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Paquete aislado • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s, f = 60 Hz) • Distancia de derivación de la derivación de la derivación = 4.8 mm • Dynamic DV/dt Rating • Baja resistencia térmica • Disponibilidad libre

MOSFET de potencia Canal N QFET Este MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento está fabricado con tecnología patentada de bandas planares y DMOS de Fairchild Semiconductor. La tecnología MOSFET avanzada de iese se ha diseñado específicament

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de f

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una caja SOT-23 Descripción: La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicacione

IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características

HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y

2SK 2750

Transistor MOSFET P-CH 40 V 10.5A SO-8

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

Alimentación MOSFET CARACTERÍSTICAS Montaje en superficie Disponible en cinta y carrete Clasificación dinámica dV/dt Avalancha repetitiva calificada Conmutación rápida Facilidad de conexión en paralelo Requisitos de accionamiento sencillos DESCRIPCIÓN Los

Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free

MOSFET HEXFETPOWER Características • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo un COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de avalancha completamente c

N-CANAL 500V - 0.72O - 7.2A Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Características RDS TÍPICO(ON) = 0,72 O.. EXTREMADAMENTE ALTA CAPACIDAD DV/DT 100% AVALANCHA PROBADA SE MINIMIZÓ LA CARGA DE LA PUERTA CAPACIDADES INTRÍNSECAS MUY BAJAS MUY BUENA REPETIBILIDAD

MOSFET de potencia de canal N. Características Revestimiento sin plomo Compatible con RoHS Sin halógenos Aplicaciones Iluminación Cargador de baterías Alimentación de corriente Aplicaciones de conmutación

MSC750SMA170B4, 1700 V, 750 mOhm, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT d

MOSFET de potencia P-Channel

600 V CoolMOS™ E6 Power MOSFET Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, halógeno free Aplicaciones Día PFC, día de modulac

IRL510, SiHL510 Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y Rentabilidad. La carcasa TO-220AB se convierte en universal para todos Aplicaciones c

N-CANAL 500V - 0.070O - 53A ISÓTOPO POWERMESH™II MOSFET El PowerMESH™II es la evolución de la primera generación de la MALLA OVERLAY™. Las mejoras introducidas en el diseño resultan en una mejora significativa en el área de Ron* y mantienen el bloque de c

IRF4905PbF, MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, co

Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

Transistor MOSFET P-CH 30 V 11 BIS SO-8

L6384ED013TR aus der L6384ED-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässig

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad d

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de