Misceláneos - Ch (1.386)

MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densid

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �Temperatura de la junta operativa 175 °C. �Complant to

MOSFET de canal p. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Interruptor de carga �Interruptor PA

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología de generación V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

N-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Conversión DC/DC - Sistema de cuaderno de potencia

Potencia MOSFET Single MOSFET Características • paquetes internacionales estándar • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura c

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to

Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Converti

STB80NF10; STP80NF10 Esta serie POWER MOSFET, realizada con el exclusivo proceso STTripFET de STMicroelectronics, ha sido diseñada específicamente para minimizar la capacitancia de entrada Minimice la capacidad de entrada y la carga de la puerta. Por lo t

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob

Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N FBSOA garantizado Clasificación Avalancha Características Diseñado para funcionamiento lineal Paquete estándar internacional FBSOA garantizado a 75 °C Clasificación Avalancha El epoxi de moldeo cumple la clasi

MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Caract

MOSFET de potencia de canal p. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Gestión de la alimentación de la batería Con

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

Polar3TM HiperFETM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densida

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Potencia MOSFET Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) - Paquete reconocido por UL - Superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico de 2500 V. Dynamic dv/dt Rating Capaci

MOSFET de potencia de canal de 60 V N Características �se ha comprobado el valor 100% �Conmutación rápida

MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densid

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

MOSFET de potencia P-Channel Características �Conmutación rápida �Se ha suitado para aplicaciones de accionamiento de puerta de -2,5V. �Libre de halógenos Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

MOSFET de potencia UniFET II UniFET TM II MOSFET es una serie MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor, basada en la tecnología avanzada de bandas planares y DMOS. Esta serie MOSFET avanzada tiene la menor resistencia de conexión entre los MOSFET

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

Carcasa: SOT-23

MOSFET de señal pequeña Características Protegido contra ESD RDS(on) bajo Carcasa montada en la superficie Prefijo 2V para automoción y otras aplicaciones, requisitos especiales de cambio de ubicación y control, certificación AEC-Q101 y compatible con PPA

Aplicaciones: • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas: • Puerta mejorada • Solidez de

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Aplicaciones para acc

HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño r

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

MDmesh™ K3 Power MOSFETs Características 100% avalancha probada Extremadamente alta capacidad dv/dt Capacitancia intrínseca muy baja Características mejoradas de la recuperación inversa del diodo Zener-protegido Descripción Estos MOSFET MDmesh™ K3 Power s

Potencia MOSFET montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporc

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

MOSFET de potencia StripFET™ F6 Este MOSFET de potencia de canal N se ha desarrollado utilizando la tecnología StripFET™ F6 con una nueva estructura de puerta de separación. El MOSFET de potencia resultante tiene un RDS(on) muy bajo en todos los chasis. C