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MOSFET de potencia SUPERFET II, Easy-Drive SUPERFET II MOSFET es la nueva familia MOSFET de alta tensión Super-Junction (SJ) de Semiconductor, que utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una resistencia especialmente baja y una carga de

STREFFET™ II Power MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Descripción Estos MOSFET de potencia se han desarrollado utilizando el proceso STTripFET único de STMicroelectronics, que está diseñado espe

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

Descripción Transistor de efecto de campo de enriquecimiento de canal P (FET) en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Características y beneficios • 1,8 V resis

IXFN82N60P. MOSFET de potencia Modo de ampliación de canal N. Evaluación de Avalon Rectificador Intrinsic rápido Características • Paquete internacional estándar • MiniBLOC, con aislamiento de nitruro de aluminio • Evaluación dinámica dv/dt • Evaluación d

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo

MOSFET de potencia SUPERFET II, FRFET SUPERFET II MOSFET es la nueva familia MOSFET de alta tensión Super-junction (SJ) de Semiconductor, que utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una resistencia de conexión especialmente baja y una ca

HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y

Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

MOSFET de alimentación de canal de 30 V N

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �tecnología de superUnión �Alto rendimiento debido a la reducida configuración del mérito �Altas prestaciones �Alto rendimiento de conmutación �100% UIL comprobado �PB-free plating �Complant to RoHS Directive

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva montaje en superficie (IRFR9014, SiHFR9014) Disponible en cinta y reel P-channel conmutación rápida DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fá

IRF740, MOSFET de potencia Descripciones: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida p

MOSFET de potencia HEXFET de canal P simple de 100V en una carcasa D2-Pakt Descripción: Las características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 150 °C, una velocidad de cambio rápida y una tasa de repetición de Avalon

N-CHANNEL 60 V, 0.015 O, 50 A STREFFET™ II POWER MOSFET Características 100% avalancha probada Excepcional capacidad dv/dt Aplicaciones Aplicación de conmutación

10 amperios, 400 voltios, 0,55 OHMIOS, MOSFET de potencia de canal N. MOSFET de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento MOSFET es para aplicaciones de alta tensión y conmutación de alta velocidad Aplicaciones de conmutación com

Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía e

Transistor MOSFET N-CH 200 V 5 A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK

Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

N-Channel 600 V, 0.135 O tipo., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET Características 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta Aplicaciones Conmutación de aplicaciones

Características • Diseño de celda de alta densidad para RDS(ON) bajo • Interruptor de señal pequeña controlado por tensión • Rugged y reliable • Alta capacidad actual de saturación

Tecnología G2R. Resistencia de conexión/dependencia de la temperatura más suave Diseño optimizado desde el punto de vista electromagnético Baja capacidad Resistencia a cortocircuitos líder de la industria Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Fuente Kelvin

STREFFET™ II POWER MOSFE Características generales �RDS TÍPICO(ON) = 0.060 ƒ¶ �DISPOSITIVO DE NIVEL LÓGICO MONTAJE EN SUPERFICIE DPAK (TO-252) DESCRIPCIÓN Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "Singl

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

La familia de MOSFETs de potencia IR utiliza procesos de silicio de eficacia probada y ofrece a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para diversas aplicaciones, como motores de CC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y apli

HEXFET Power MOSFET Aplicaciones Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS Fuente de alimentación ininterrumpida Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos conmutados y de alta frecuencia Beneficios Mejorado Gate, Avalanche y Dynamic DV/d

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

N-channel 600 V, 0,135 O tipo., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET en paquetes D²PAK y TO-220 Descripción Estos dispositivos son MOSFETs de alimentación de canal N desarrollados utilizando la tecnología MDmesh™ de segunda generación. Este revolucionario MOSFET

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Los MOSFET de potencia HEXFETA avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rá

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

Descripción Los transistores de efecto de campo de rendimiento de modo de enriquecimiento de nivel lógico SuperSOTTM-3 N-Channel se fabrican con la tecnología DMOS patentada de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad se debe

MOSFET de potencia P-Channel Características �Conmutación rápida �Se ha Supped para aplicaciones de accionamiento de puerta de -1.8V. �Libre de halógenos Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

STP20NK50Z - STW20NK50Z; STB20NK50Z - STB20NK50Z-S. La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de reducir significativamente la resistencia al encendido, se ha prestado espec

Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación ráp

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sus

N-Channel 900 V, 3,6 O tipo., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación d

IRF9640S , MOSFET DE POTENCIA Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El D2PAK (TO-263) es una caja de alimentació

MOSFET de potencia HEXFET Resistencia ON ultrabaja Montaje en superficie Conmutación rápida Clasificado para avalanchas Sin plomo