Misceláneos - Ch (1.383)

Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación ráp

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sus

N-Channel 900 V, 3,6 O tipo., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación d

IRF9640S , MOSFET DE POTENCIA Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El D2PAK (TO-263) es una caja de alimentació

MOSFET de potencia HEXFET Resistencia ON ultrabaja Montaje en superficie Conmutación rápida Clasificado para avalanchas Sin plomo

TSM2312 Canal 20V N tipo de enriquecimiento MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos de separación Diseño de celda de alta densidad para una resistencia de arranque extremadamente baja

N-CANAL 1000V - 1.60O - 6.5A - BIS-220 Zener protegido SuperMESH™ MOSFET Descripción La serie SuperMESH™ se logra mediante la optimización extrema del bien establecido diseño de ST basado en PowerMESH™. Además de la importante reducción de la resistencia

IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

Transistor MOSFET N-CH 55 V 4,4BIS 4 clavijas (3+Tab) SOT-223

Aplicaciones: • Convertidor CC-CC de alta frecuencia • sin plomo Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para Simplificar el diseño (consulte el anexo

IRLR024NPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripciones: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de sili

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Especificació

Transistor MOSFET N-Ch 30 V 4,9A SO-8

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt Rating Avalancha repetitiva aconsejada Montaje en superficie (IRFR9220, SiHFR9220) Disponible en cinta y reel P-Channel Conmutación rápida DESCRIPCIÓN La tecnología de MOSFET de potencia es la clave para visha

STREFFET™ F6 Power MOSFETs Características Muy baja resistencia Muy bajo precio de puerta Alta resistencia a las avalanchas Baja pérdida de potencia de accionamiento de puerta Descripción Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal P desarrollados

MOSFET de potencia P-Channel Características �conmutación rápida �Se ha Supped para aplicaciones de accionamiento de puerta de -1.8V. �Libre de halógenos Nota: "G" denotes para libre de halógenos y antimonio como el que contiene

MOSFET de potencia de canal de 20V N

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

IRFBG20, MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La

Transistor • Ganancia de canal de 20V N MOSFET • Carcasa: SOT-23

Baja resistencia en marcha Tensión de umbral de puerta baja Baja capacidad de entrada

Potencia MOSFET ISOPLUS247TM (Superficie posterior aislada de forma eléctrica) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquete aislado estándar internacional paquete UL reconocido Silicon chip en sustratos de

CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptor de carga POL

BUZ 11, potencia de canal N MOSFET 50 V, 30 A, 40 mO Descripción Se trata de un transistor de efecto de campo de entrada de silicio de canal N en modo de acumulación diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación,

N-CHANNEL 60V - 0.012O - 60A - STREFET™ II POWER MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Rango de funcionamiento de 175°C. Conducción de umbral bajo Aplicaciones Aplicac

Zener-protegido SuperMESH™ Power MOSFET Características Diseñado para aplicaciones automotrices y AEC-Q101 calificado Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena

MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densid

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

CANAL P 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET Baja resistencia para baja caída de voltaje Extendida VGS máx. Clasificación: 25 V. 100% RG y UIS probado APLICACIONES Interruptores de batería, carga y adaptador - Ordenadores portátiles -

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Convertidores de frecuencia síncronos de alta para alimentación del procesador de equipos Convertidores dc-dc aislados de alta frecuencia con reconocimiento síncrono para telecomunicaciones y uso industrial Sin plom

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Fuente Kelvin 3-7: Fuente Caso: Drenaje

Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

BiMOSFET de alta tensión y alto amplificador Transistor de MOS bipolar monolítico Características: • Diodo de retorno rápido monolítico • Alta tensión de bloqueo • JEDEC TO-268, carcasa de montaje superficial y JEDEC TO-247 AD • Pequeñas pérdidas de cambi

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

N-Channel 600 V, 0,85 O tipo., 7 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características � Extremadamente alta capacidad dv/dt �Mejora de la capacidad ESD �100% avalancha probada �Se minimizó la carga de la puerta �Capacidades intrínsecas muy bajas Apli

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

Transistor MOSFET P-CH 20 V 9 A SO-8