Misceláneos - Ch (1.379)

CANAL P 100-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 disponible TrenchFET® Power MOSFET

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones típicas Alternador de arranque integrado 42 Volts Automotive Electrical Systems Sin plomo Beneficios Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmut

2SK 2645

Transistor SMD N-FET SOT-23 50 V 0,22 A

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

ZXMHC6A07T8 MOSFET de 60 V complementario con modo de enriquecimiento y puente H Descripción: Esta nueva generación de MOSFET de Zetex utiliza una estructura única que combina las ventajas de una baja resistencia hacia adelante con una alta velocidad de c

Descripción Este MOSFET de canal P especificado de 1,8 V utiliza el avanzado proceso de entrada de baja tensión de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de batería. Aplicaciones • Gestión de la batería • Interruptor de carga

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

MOSFET de potencia MDmesh™ M5 Estos MOSFET de potencia de canal N se basan en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. Los productos resultantes ofrecen una resistencia de arranque ext

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

Carcasa: DIL-16

CH. Eau de Toilette - Colonia. Familias Olfativas: Oriental, Floral

N-Channel 1500 V, 5 O, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET Características 100% avalancha probada Capacidades intrínsecas y Qg minimizadas Conmutación de alta velocidad Paquetes de plástico totalmente aislados TO-3PF La trayectoria de distancia de la propagación

MOSFET StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado TSOP-6 (Micro 6) La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecu

CH 0036/S. Gafas de Sol para adultos. Color: Dorado. Tipo de gafas: Mariposa

N-Channel 800V - 1.9O - 4.3A - Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características generales 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicaciones Aplicación de c

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Transistor Transistor de efecto de campo de nivel lógico de canal N. • Carcasa: SOT-23

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

Caja: SO-16

TRANSISTOR 2SJ 162 P-FET 160V 7A TO-3P.

Dapterset con los tres cables adaptadores para el CARGADOR GO-E GEMINI FLEX 11 kW con conector rojo CEE de 16 A (corriente trifásica - trifásica). El kit incluye adaptadores para los siguientes sockets: CEE roja 32 A (trifásica - trifásica) Potencia de ca

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión de la al

MOSFET de potencia P-Channel CARACTERÍSTICAS �Mejora de la capacidad DV/dt �conmutación rápida �100% EAS garantizado �PB-free plating �Compatible con RoHS �compuesto de mold libre de halógenos APLICACIÓN �Accionamiento del motor �Power Tools �Iluminación

HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon

2SK 30

N-Channel SiC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

Alimentación HEXFET MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en P

Alimentación HEXFET MOSFET Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible con técnicas de montaje en superficie para la exposición Compatible con RoHS, libre de halógenos MSL1, cualificación industrial

N-Channel 250V - 0.055O - 45A baja carga de puerta STREFFET™ Power MOSFET Características 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Baja capacidad intrínseca Aplicación Conmutación de aplicaciones

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Aplicaciones para acc

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como

N-CANAL 20-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES MOSFET de lado bajo para Synchronous Buck - Máquina de jueg

UNYKAch Kit Teclado + Ratón Combo Pro MK211 Slim Español Negro

UNYKAch Impresora Térmica POS5 White

MOSFET de potencia de canal P de 30 V

PB-free Halide free