Misceláneos - Ch (1.387)

MOSFET de potencia PowerTrench Este MOSFET de canal N se ha fabricado con el avanzado proceso de Power Tach de Fairchild Semiconductor, diseñado para minimizar la resistencia al arranque, manteniendo al mismo tiempo una excelente potencia de conmutación.

Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y e

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

MOSFET de potencia de doble canal N. CARACTERÍSTICAS �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de células de alta densidad para una resistencia ultra baja APLICACIÓN �Diseño especial para paquetes de baterías de iones de litio �Aplicación de

Transistor MOSFET N-CH 55 V 85A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

MOSFET de canal N. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Conversión de CC/CC de lado alto �Portátil �P. seg

MOSFET DE POTENCIA PEQUEÑA SMT SIPMOS Características Modo de enriquecimiento Revestimiento de plomo sin PB; compatible con RoHS Cualificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva P-channel conmutación rápida Ease de paralelismos DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR420, SiHFR420) • plomo recto (IRFU420, SiHFU420) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materi

TRANSISTOR SMD P-FET SOT-23 -60V -0.33A

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es de uso universal para tod

IRFP460LC, SIHFP460LC Esta nueva gama de MOSFET de potencia baja alcanza una carga de puerta mucho menor que los MOSFET convencionales. Gracias al uso de la tecnología avanzada de MOSFE Ts, los componentes mejorados permiten reducir las necesidades de con

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Resultados de Qg de carga de puerta baja en un requisito de accionamiento sencillo puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacitancia continua y tensión y corriente de avalancha Se ha especificado un COSS

Transistor MOSFET N-CH 30 V 6,5A SO-8

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva accionamiento de puerta lógica de nivel RDS(on) especificado en VGS = 4 V y 5 V. conmutación rápida DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potenc

650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha

Carcasa: SOT-23

Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de

MOSFET de potencia HEXFET® Descripción Los MOSFET HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, ju

HEXFET® Power MOSFET Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible con técnicas de montaje en superficie para la exposición Compatible con RoHS, libre de halógenos MSL1, cualificación industrial

Doble N-Canal 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Baja corriente DC / DC conversión Notebook System Power

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

Doble canal P 20-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Opción libre de halógenos disponible TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Interruptor de carga Convertidor DC/DC

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Drain 3: Fuente

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo

MSC750SMA170B, 1700 V, 750 mOhmios, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT

MOSFET DE CANAL P DE 20 V. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Interruptor de carga �Interruptor PA

CANAL P 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado APLICACIONES Interruptor de carga Interruptor de batería

Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N Clasificación Avalancha Diodo intrínseco rápido Características Paquete estándar internacional Temperatura de funcionamiento: 175 °C Alta capacidad de manejo de corriente Clasificación Avalancha Rectificador r

MOSFET de potencia HEXFET • Interruptor de carga y descarga para aplicaciones de batería para portátiles

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor

HiperFET MOSFET de potencia Clase Q3 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Resistencia de puerta Intrinsic baja Paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entra

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de p

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Capacidad DV/

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicación Convertidores dc-dc de alta frecuencia Sin plomo Beneficios Puerta baja para carga de drenaje para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar el diseño,

N-Channel 100V - 0.038O - 35A - Carga de puerta baja STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Aplicaciones Aplicación de conmutación

MOSFET de potencia UniFET UniFETM MOSFET es la familia de MOSFET de alta tensión de ON Semiconductor, basada en la tecnología Planar Stripe y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia al arranque y ofrecer una mejor potencia de conmutaci

MOSFET de potencia PowerTrench Características Carga de águila baja Diodo corporal de bajo valor Qrr (carga recuperada inversa) Capacidad UIS (impulso único e impulso repetido) Sin PB y compatible con RoHS Aplicaciones Rectificación síncrona Circuitos de

Alimentación HEXFET MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Perfiles bajos Temperatura de funcionamiento 175 °C. conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon