Misceláneos - Ch (1.385)

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una caja SOT-23 Descripción: La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicacione

IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características

HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y

2SK 2750

Transistor MOSFET P-CH 40 V 10.5A SO-8

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

Alimentación MOSFET CARACTERÍSTICAS Montaje en superficie Disponible en cinta y carrete Clasificación dinámica dV/dt Avalancha repetitiva calificada Conmutación rápida Facilidad de conexión en paralelo Requisitos de accionamiento sencillos DESCRIPCIÓN Los

Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free

MOSFET HEXFETPOWER Características • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo un COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de avalancha completamente c

N-CANAL 500V - 0.72O - 7.2A Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Características RDS TÍPICO(ON) = 0,72 O.. EXTREMADAMENTE ALTA CAPACIDAD DV/DT 100% AVALANCHA PROBADA SE MINIMIZÓ LA CARGA DE LA PUERTA CAPACIDADES INTRÍNSECAS MUY BAJAS MUY BUENA REPETIBILIDAD

MOSFET de potencia de canal N. Características Revestimiento sin plomo Compatible con RoHS Sin halógenos Aplicaciones Iluminación Cargador de baterías Alimentación de corriente Aplicaciones de conmutación

MOSFET de potencia P-Channel

600 V CoolMOS™ E6 Power MOSFET Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, halógeno free Aplicaciones Día PFC, día de modulac

IRL510, SiHL510 Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y Rentabilidad. La carcasa TO-220AB se convierte en universal para todos Aplicaciones c

N-CANAL 500V - 0.070O - 53A ISÓTOPO POWERMESH™II MOSFET El PowerMESH™II es la evolución de la primera generación de la MALLA OVERLAY™. Las mejoras introducidas en el diseño resultan en una mejora significativa en el área de Ron* y mantienen el bloque de c

IRF4905PbF, MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, co

Transistor Zetex Vivienda: Línea electrónica N-Channel MOSFET

Transistor MOSFET P-CH 30 V 11 BIS SO-8

L6384ED013TR aus der L6384ED-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässig

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad d

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de

N-Channel 800V - 1.9O - 4.3A - Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Características generales 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicaciones Aplicación de c

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

Alimentación HEXFET MOSFET Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible con técnicas de montaje en superficie para la exposición Compatible con RoHS, libre de halógenos MSL1, cualificación industrial

MOSFET de potencia STripFET™ de baja carga de puerta Características generales Excepcional capacidad dv/dt Baja carga de puerta 100% a prueba de avalanchas descripción Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el exclusivo proceso STripFET™ de STMicr

N-canal 600V - 0.65O - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener protegido SuperMESH™ Power MOSFET La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de reducir significativamente la

Aplicaciones • De sincronización de alta eficiencia SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dinám

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio Tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta cor

HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR5305) Plomo recto (IRFU5305) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva P-channel conmutación rápida Ease de paralelismos DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a

Propiedades: • Pérdida de potencia: 350 mW • Carcasa de plástico: TO-92 (10D3) • Peso aprox.: 0.18 g • Material de la carcasa clasificado UL94V-0 • Forma estándar de entrega con cinta en paquete de Ammo

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alimentación del procesador MOSFET síncrono para portátiles Rectificador síncrono MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible c

Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, l

N-Channel 1500 V, 5 O, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET Características 100% avalancha probada Capacidades intrínsecas y Qg minimizadas Conmutación de alta velocidad Paquetes de plástico totalmente aislados TO-3PF La trayectoria de distancia de la propagación

MOSFET de potencia HEXFET STRONG IR FET Aplicación: • Accionamiento del motor • Circuitos accionados por batería • Topologías semipuente y de puente completo • Rectificador síncrono • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

HEXFET® Power MOSFET Descripción Los MOSFET de potencia avanzada HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a través del área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de

MOSFET de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento Está diseñado para circuitos de alta tensión y alta velocidad de potencia, así como para aplicaciones como reguladores de conmutación, transformadores de conmutación, bobinas ma