Misceláneos - Ch (1.385)

Potencia MOSFET Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Proceso PolarPTM rugged Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantage

MOSFET de potencia PowerTrench Estos MOSFET de canal N+P están fabricados con el avanzado proceso de onsemi Power Metch, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al arranque, pero manteniendo una carga de puerta baja para una excelente poten

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de f

N-Channel SIC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y e

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de Ga

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutació

SIPMOS MOSFET de potencia Características Canal p. Modo de enriquecimiento Con capacidad de avalancha Cambio rápido Con calificación DV/dt Revestimiento de plomo sin PB Compatible con RoHS, sin halógenos Cualificado según AEC Q101

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Convertidor DC/DC - Cuaderno Vcore - POL

Transistor MOSFET N-CH 55 V 47 A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de pu

N-Channel 500 V, 0,1 Ohm Tipo, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET Características 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta Aplicaciones Conmutación de aplicaciones

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión de la al

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo casi Intrinsic Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Resistencia de puerta Intrinsic baja Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Dynamic dv/dt Ratin

MOSFET de potencia de canal N. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido 175 °C de temperatura de funcionamiento durante el turno de trabajo Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC

IRF520, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-22

MOSFET de potencia de canal N doble Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Control del motor BLDC Gestión de la al

MOSFET de potencia de canal N. Características Carga de puerta baja para un cambio rápido Revestimiento sin plomo Compatible con RoHS Masa de moldeo sin halógenos Aplicaciones Tecnología de red Interruptor de carga Control de iluminación LED AC-DC - recti

N-Channel 600 V, 0,37 O, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET Características El mejor área RDS(ON)* del mundo entre los dispositivos de diodo de recuperación rápida 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrad

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob

MOSFET de potencia P-Channel CARACTERÍSTICAS �Mejora de la capacidad DV/dt �Conmutación rápida �Muy buena para aplicaciones de accionamiento de 1.8V �PB-free plating �Compatible con RoHS �compuesto de mold libre de halógenos APLICACIÓN �Interruptor de car

Transistor MOSFET N/P-CH 55 V 4,7A/3,4A SO-8

Bajas pérdidas de conmutación gracias a los tiempos de cambio cortos y al R DS más pequeño (ON)

N-CANAL 40-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Convertidores DC/DC - Síncrono Buck - Rectificador síncrono

OMNIFET": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Características LÍMITE LINEAL CURRENT CORTOCIRCUITO TÉRMICO DOWN PROTECCIÓN DE CIRCUITO CORTO CLAMP INTEGRADO BAJA CURVA DESDE EL PIN DE ENTRADA INFORMACIÓN DE DIAGNÓSTICO A TRAVÉS DEL PIN DE ENTRADA PROTECCIÓN E

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • paquete aislado • aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz) • Separación de derivación a aumento de distancia = 4.8 mm • Dynamic DV/dt rating • Baja resistencia térmica • Material categorization: For d

HEXFET Power MOSFET Tecnología de Proceso Avanzada montaje en superficie 175°C Temperatura de funcionamiento Cambio rápido Clasificación completa de la avalancha sin plomo

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es u

MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de

Estos tipos de transistores de efecto de campo de modo de potencia de canal N tienen bajas pérdidas de línea, alta impedancia de entrada, alta velocidad de conmutación y características de transmisión lineal, por lo que se utilizan en una amplia gama de a

MOSFET de potencia de canal N. Características �tecnología de superUnión �Alto rendimiento debido a la reducida configuración del mérito �Altas prestaciones �Alto rendimiento de conmutación Aplicación �Suministro de alimentación. �Iluminación Nota: "G" de

MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFEts de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velo

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Aplicaciones • Interruptor primario en topologías de puente o de dos interruptores hacia delante con 48 V (±10%) o 36 V a 60 V de entrada ETSI. • Interruptor rectificador síncrono del lado secundario para salida de 12 V. • Adecuado para aplicaciones dc-dc

IRS2304SPBF aus der IRS2304-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutació

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea