Misceláneos - Ch (1.381)

Interruptores de lado bajo Entrada de nivel lógico protección térmica Surge protección contra sobrecarga protección de circuito corto

IRS21531DSTRPBF aus der IRS21531D-Familie ist ein Selbstoszillierender Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,18 A Source / 0,26 A Sink, VCC/VDD ca. 10..15,4 V, RC-Oszillator / CT/RT, kein klassischer Logikeingan

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

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Potencia MOSFET Single MOSFET Características • paquetes internacionales estándar • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura c

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MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to

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N-Channel 60V - 11.5Mo - 60A - STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Puerta de entrada de nivel estándar 100% avalancha probada Aplicaciones Aplicación de conmutación

Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Converti

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STB80NF10; STP80NF10 Esta serie POWER MOSFET, realizada con el exclusivo proceso STTripFET de STMicroelectronics, ha sido diseñada específicamente para minimizar la capacitancia de entrada Minimice la capacidad de entrada y la carga de la puerta. Por lo t

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Potencia polar3 HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Paquetes internacionales estándar Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquete

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Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) • Plomo recto (IRFU014, SiHFU014) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Material ca

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El tapacubos conecta las ruedas con los ejes respectivos y con el eje de transmisión. En función del uso que quiera dársele, el tapacubos dispone de un ajuste por exceso y un portacargas o también un cojinete, para permitir la rotación individual de las r

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