Misceláneos - Ch (1.419)

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

N-CANAL 600V - 1O - 6A - TO-220/TO-220FP/I²PAK/D²PAK ZENER PROTEGIDO SUPERMESH™ MOSFET La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de la reducción significativa de la resisten

MOSFET DE CANAL P DE 20 V. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Gestión de la batería �Interruptor de alta velocidad

DN3135 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de cierre de proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades

IRFHS9301TRPBF

Osciloscopio de almacenamiento digital GDS-912G con 25 MHz AFG Antes de 2000, la tecnología de osciloscopio de almacenamiento digital estaba dominada por fabricantes europeos, estadounidenses y japoneses. En 2000, GW Instek tomó la delantera con la introd

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Transistor • Ganancia de canal de 20V N MOSFET • Carcasa: SOT-23

N-Channel 900V - 0.72O - 11A - TO-247 Zener-protegido SuperMESH™ Power MOSFET Características generales Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad

go-e Charger Géminis 2.0 El go-e Charger Géminis 2.0 con tarjeta SIM integrada ya está aquí. El punto de recarga fija ofrece hasta 22 kW de potencia de carga para carga monofásica y trifásica a partir de 1,4 kW. El inteligente Wallbox con una conectividad

Power MOSFET Descripción: Los MOSFET de tercera generación de potencia de VISHAY ofrecen al desarrollador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de componentes robusto, baja resistencia en encendido y rentabilidad. El DPAK está diseñado para e

HEXFET® Power MOSFET Características Paquete estándar de la industria pinout SO-8 Compatible con técnicas de montaje en superficie para la exposición Compatible con RoHS, libre de halógenos MSL1, cualificación industrial

Características • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free

STD1NK60, N-CANAL 600V - 8O - 1A DPAK SUPERMESH™ MOSFET Descripción: La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras comprobadas de ST. Además de reducir significativamente la resistencia al encendido,

MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja f

MOSFET de corte de canal N de 300 mA 2N7002, 60 V Descripción general: Transistor de efecto de campo de canal N (FET) en una carcasa de plástico con tecnología MOSFET de separación con modo de enriquecimiento. Características y ventajas: • Adecuado para f

FET de canal N vertical DMOS en modo de reposo Descripción Estos transistores de brazo (normally-on) utilizan una estructura vertical avanzada de DMOS y el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación da lugar a elemen

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciale

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

MOSFET StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado TSOP-6 (Micro 6) La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecu

TRANSISTOR 2SJ 162 P-FET 160V 7A TO-3P.

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para

El DN2530 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de prueba de well. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidade

Diseño: SOT-23 Polaridad: P Tensión de drenaje: 20 V. Corriente de drenaje: 3 a Potencia: 1,4 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

Timbre de vídeo inalámbrico 2K de doble banda con batería inteligente con gong, que incluye tarjeta microSD de 64 GB Vídeo de alta resolución de 2048 x 2048 (4 MP) para imágenes detalladas y una cobertura más amplia Incluyendo REOLINK chime (gong) Reconoc

IKP20N65F5 DuoPack rápido de 650V IGBT y diodo: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología de alta velocidad F5 TRENCHSTOP™ • Máxima eficiencia de clase con

Los MOSFET de quinta generación de potencia HEXFETÆ de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación

transistor de N-Channel TrenchMOS Nivel lógico FET Características Tecnología de separación Cambio de marchas extremadamente rápido Compatible con el nivel lógico Carcasa subminiatura de montaje superficial Aplicaciones Controlador de relé Controladores d

STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Caracterización orientada a la aplicación �100% avalancha probada Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "

N-Channel SiC Power MOSFET Características Baja resistencia Velocidad de conmutación rápida Recuperación inversa rápida Fácil a paralelo Fácil de conducir PB-libre plomo plateado; RoHS obediente Aplicación Inversores solares Convertidores DC/DC Conmutar l

Serie DHO900 La serie DHO900 de osciloscopios digitales son osciloscopios digitales altamente portátiles y de alta resolución basados en la plataforma tecnológica Centaurus de RIGOL. Alta resolución 12 bits La serie DHO900 ofrece una resolución vertical d

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adec

20 V, 2 A, MOSFET DE TENDENCIA DE CANAL P. Descripción: Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal P en un pequeño encapsulado de plástico SST23 (TO-236AB) (Surface-Mounted Device), utilizando la tecnología MOSFET de tendencia

-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obedi

= STP16NF06

SuperMESH™ Power MOSFETs Características 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacitancia intrínseca muy baja Zener-protegido Descripción Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de Potencia N-Channel protegidos por Zener, desarr

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

AO3400A, MOSFET de canal N de 30 V Descripción: El AO3400A combina la avanzada tecnología MOSFET de zanja con un encapsulado de baja impedancia para proporcionar un RDS(ON) ultrabajo. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en