Misceláneos - Ch (1.419)

El soporte de pared adicional para el go-e Charger Gemini flex te ofrece la posibilidad de montar tu Wallbox móvil en otra ubicación de la pared, como en el segundo hogar. Alcance del ajuste: Placa de montaje en pared para go-e Charger Gemini flex Cuatro

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

Potencia MOSFET (Pestaña aislada de electricidad) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Sustratos de silicona chip on Direct-Copper Bond (DCB) - Paquete reconocido por UL - Superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico d

N-Channel 900 V, tipo O 1,56, 5,8 A SuperMESH™ Power MOSFET Paquete FP aislado Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

IRFB4710PBF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio - Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente

SATECHI SLIM X3 teclado bluetooth-CH (suizo) Teclado Bluetooth mejorado con teclas iluminadas Diseño avanzado con teclado numérico, diseño de teclas suizas y teclas de función intuitivas Retroiluminación con 10 niveles de brillo Se pueden conectar hasta c

IRFZ44NPbF, MOSFET® de potencia HEXFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Es

MOSFET de potencia Polar3TM HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido

Transistor MOSFET N-CH 55 V 75 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de haló

MOSFET de alimentación de canal de 30 V N

Diseño: SOT-23 Polaridad: P Tensión de drenaje: 30 V. Corriente de drenaje: 4 a Potencia: 1,4 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �proceso planar avanzado �se ha comprobado el valor 100% �Low RDS(ON) 8R (típ.) �Carga típica de puerta baja a 6.1 NC (tipo) �Baja Crss típica @4.2pF (típ.) APLICACIÓN �Suministro de alimentación �Iluminación

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �tecnología de superUnión �Alto rendimiento debido a la reducida configuración del mérito �Altas prestaciones �Alto rendimiento de conmutación �100% UIL comprobado �PB-free plating �Complant to RoHS Directive

N-CANAL 600V - 0,098W - 40A ISÓTOPO Powermesh™II MOSFET Características RDS TÍPICO(ON) = 0.098 W.. EXTREMADAMENTE ALTA CAPACIDAD DV/DT 100% AVALANCHA PROBADA NUEVO PUNTO DE REFERENCIA DE ALTO VOLTAJE SE MINIMIZÓ LA CARGA DE LA PUERTA DESCRIPCIÓN El PowerM

Báscula colgante con mango y gancho de acero inoxidable. Con cinta métrica extraíble, 100 cm. Legibilidad: 50 g Gama de pesado: Máx. 50 kg Carcasa: 90x30x157mm (con gancho de 270 mm) Pantalla LCD, altura de cifras: 11 mm Peso: 250 g - Programa de ajuste -

IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras característic

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �tecnología de superUnión �Alta potencia, RDS(ON)*Qg figura de mérito (FOM) �Altas prestaciones �100% UIS y RG comprobado �Complant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC �Libre de

MOSFET DE CANAL P DE 30 V Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Interruptor de carga �Interruptor PA

N-Channel 950 V, 0.275 O tipo., 17,5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs Características El área RDS(on) x más baja de la industria El mejor FOM de la industria (figura de mérito) Cargo de puerta ultra bajo 100% avalancha probada Zener-protegido Aplicaciones Conmu

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de p

MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Canal P MOSFET Disponible en cinta y reel Sin plomo

Cable adaptador para go-e Charger Gemini flex 11 kW con enchufe 16 a CEE rojo (trifásico - corriente trifásica). El adaptador permite la conexión a una caja de 32 a CEE roja (trifásica). La corriente de carga permanece limitada a 16 a por el go-eCharger G

Thick film SMD Resistor 0402 small size and light weight suitable for wave soldering and reflow soldering suitable for placement machines

Dapterset con los tres cables adaptadores para el CARGADOR GO-E GEMINI FLEX 11 kW con conector rojo CEE de 16 A (corriente trifásica - trifásica). El kit incluye adaptadores para los siguientes sockets: CEE roja 32 A (trifásica - trifásica) Potencia de ca

OMNIFET II: Alimentación completamente autoprotegida MOSFET Características Límite de corriente lineal Desconexión térmica protección de circuito corto Clamp integrado Corriente baja del pin de entrada Información de diagnóstico a través del pin de entrad

Descripción Este MOSFET de canal P especificado de 1,8 V utiliza el avanzado proceso de entrada de baja tensión de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de batería. Aplicaciones • Gestión de la batería • Interruptor de carga

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

Descripción Transistor de efecto de campo en modo de mejora N-Channel en un paquete de plástico utilizando la tecnología TrenchMOS™1. Disponibilidad del producto: PMBF170 en SOT23. Características • Tecnología TrenchMOS™ • conmutación muy rápida • nivel l

CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptores de carga, interruptor del adaptado

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

Características • La carga de puerta baja Qg facilita la necesidad de accionamiento • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de Avalon • COSS efectivo especificado • Cum

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clie

Carcasa: SOT-23

Comportamiento de desconexión rápido Bajas pérdidas de paso Con diodo de marcha libre integrado

El UTC 2N7000 está diseñado para minimizar la resistencia al paso, al tiempo que proporciona un comportamiento de cambio robusto, fiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400 mA de corriente continua y puede sum

MDmesh™ M2 Power MOSFETs Características Tarifa de puerta extremadamente baja Excelente perfil de capacitancia de salida (COSS) 100% avalancha probada Zener-protegido Aplicaciones Conmutación de aplicaciones Descripción Estos dispositivos son MOSFETs de P

Carcasa: DIL-16