Misceláneos - Ch (1.421)

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Alimentación ininterrumpida • Circuito de potencia de alta velocidad • Circuitos duros y circuitos de alta frecuencia Ventajas • Circuito de puerta mejorado, avalancha y resistencia dinámica D

Aqara G2H por cámara (HomeKit) Carrera Zigbee 3.0 integrada Puede conectar hasta 128 sensores y controladores Aqara y disfrutar de la automatización doméstica, el control remoto y el soporte de ecosistemas de terceros. Compatibilidad general El G2H Pro ah

AMPLÍE SUS POSIBILIDADES Velocidad completa de 5 Gbps con el hub USB CH 12. Gracias a su carcasa metálica de alta calidad, el hub USB es muy estable y ofrece la mejor base posible para transmisiones más seguras y rápidas. Conectado a un ordenador o portát

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Disponibilidad libre de plomo (Pb)

Carcasa: DIL-16

PolarHV HiPerFET Potencia MOSFET Modo de mejora de canal N = 200 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquete

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

Diseño: SOT-23 Polaridad: N Tensión de drenaje: 55 V. Corriente de drenaje: 2,1 A. Potencia: 1,25 W. Temperatura: -55 … +175 °C.

CANAL P 100-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 disponible TrenchFET® Power MOSFET

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

Interruptores de lado bajo Entrada de nivel lógico protección térmica Surge protección contra sobrecarga protección de circuito corto

MOSFET de potencia HEXFET Características Carga de puerta muy baja R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones MOSFET de control para convertido

STREFFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET Características RDS (ON) * Qg Industria Benchmark Extremadamente baja sobre-resistencia RDS (ON) Alta resistencia a las avalanchas Baja resistencia de entrada de puerta Descripción Este dispositivo es un MOSFET de poten

OMNIFET": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Características LÍMITE LINEAL CURRENT CORTOCIRCUITO TÉRMICO DOWN PROTECCIÓN DE CIRCUITO CORTO CLAMP INTEGRADO BAJA CURVA DESDE EL PIN DE ENTRADA INFORMACIÓN DE DIAGNÓSTICO A TRAVÉS DEL PIN DE ENTRADA PROTECCIÓN E

MOSFET de potencia SIC Características Baja subida y bajas pérdidas de cambio Velocidades de conmutación altas posibles Menor dependencia de la temperatura Aplicación Accionamiento del motor Inversor, convertidor Fotovoltaica, generación de energía eólica

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to

Potencia PolarP MOSFET (Pestaña aislada de electricidad) Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Avalancha aconseja

MOSFET de alimentación de canal de 30 V N

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robu

Diseño: TO-247 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 560 V. VGS: 3,9 V. Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 284 W.. RDS: 110 mOhm Tipo: N-canal

MOSFET de potencia LogN-CH D-Pak 55V 36A.

Transistor MOSFET N-CH 150 V 43 A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

N-Channel 600 V, 1,7 O tipo., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs Características • 100% avalancha probada • Capacidades intrínsecas muy bajas • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y relación de precio/rendimiento competitiva de la serie OptiMOS Con la gama combinada de productos Infineons OptiMOS™ y StrongIRFET, Infineon ofrece la opción adecuada para todos los clientes y

Alimentación MOSFET de alta tensión Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Paquete de alta tensión Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada La clasificación de inflamabilida

Transistor MOSFET N/P-CH 30 V 3,5A/2,3A SO-8

Diseño: DPAK Polaridad: N Tensión de drenaje: 40 V. Corriente de drenaje: 50 A. Potencia: 50 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

Separador MOSFET Características y ventajas compatible con el nivel lógico conmutación muy rápida tecnología MOSFET Trench AEC-Q101 cualificado Aplicaciones conductor de relé conductor de alta velocidad Interruptor de carga lateral bajo Circuitos de conmu

Transistor MOSFET N-CH 75 V 170 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

Diseño: DPAK Polaridad: P Tensión de drenaje: 30 V. Corriente de drenaje: 70 A. Potencia: 90 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

N-Channel 900 V, 5 O Typ., 2,1 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha