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Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

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Soporte de cable de tipo 2 Práctico y elegante soporte para cables para todos los cables de carga con conector tipo 2 para guardar de forma segura si el vehículo eléctrico no se carga. También reduce los riesgos de tropiezo. Montaje en pared sin complicac

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Descripción • Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N en una carcasa de plástico SOT23 pequeña (TO-236AB) con dispositivo montado en superficie (SMD), utilizando la tecnología MOSFET de separación. Características y venta

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Juego de adaptadores con los tres cables adaptadores para go-e Charger Gemini flex 22 kW con 32 a CEE enchufe rojo (trifásico - corriente trifásica). La detección de adaptador integrada, en combinación con el go-e Charger Gemini flex 22 kW, permite una re

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TSM2302 MOSFET DE CANAL N DE 20 V Características Tecnología avanzada de procesos de separación Diseño de celda de alta densidad para una resistencia de arranque extremadamente baja Aplicación Interruptor de carga Interruptor PA

Carcasa: SOT-23

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MOSFET de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento MOSFET es para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad, como reguladores de conmutación, transformadores de conmutación, bobinas de solenoide, de solenoide

PB-free Halide free

Puede almacenar y cargar baterías. Cuando se utiliza con el cargador portátil DJI 65W, tres baterías de vuelo inteligente se pueden cargar completamente al mismo tiempo en tan solo 60 minutos. Si hay al menos una batería almacenada, puede funcionar como b

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MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densid

MOSFET de potencia Canal dual N y P PowerTrench Estos MOSFET de canal doble N y P están fabricados con el avanzado proceso de onsemi Power Metch, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al arranque y, sin embargo, mantener una carga de puer

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N-Channel 1000 V, 2,7 O, 3,5 A, SuperMESH3™ Power MOSFET Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicaciones Apl

El UTC UF540 es un MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar al cliente una resistencia mínima a la transmisión y una alta velocidad de conmutación. El UTC UF540 es adecuado para c

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CANAL P 30 V (D-S) MOSFET TrenchFET® Power MOSFET Aplicaciones: • Interruptor de batería • Convertidores DC/DC

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Cable adaptador para el CARGADOR GO-E GEMINI FLEX 11 kW con conector rojo CEE de 16 A (corriente trifásica). El adaptador permite que el cargador se conecte a 16 A CEE BLUE sockets (enchufes de camping). Potencia de carga: Max. 3,7 kW (230 V, 16 A) Longit

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