Misceláneos - Ch (1.038)

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced proces

MOSFET de potencia PowerTrench Características Carga de águila baja Diodo corporal de bajo valor Qrr (carga recuperada inversa) Capacidad UIS (impulso único e impulso repetido) Aplicaciones Rectificación síncrona Circuitos de protección de la batería Acci

N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado APLICACIONES DC/DC - Lado alto - VRM - POL - Servidores

Transistor MOSFET N-CH 100 V 80 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Topología invertida PWM Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de re

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Este MOSFET de canal N especificado de 2,5 V se fabrica con el avanzado proceso de Power Take de Fairchild Semiconductor, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, pero manteniendo una carga de puerta baja para una excelente potencia

20 V, 2 A, MOSFET DE TENDENCIA DE CANAL P. Descripción: Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal P en un pequeño encapsulado de plástico SST23 (TO-236AB) (Surface-Mounted Device), utilizando la tecnología MOSFET de tendencia

HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utiliz

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Sa

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara

Descripción Transistor de efecto de campo en modo de mejora N-Channel en un paquete de plástico utilizando la tecnología TrenchMOS™1. Disponibilidad del producto: PMBF170 en SOT23. Características • Tecnología TrenchMOS™ • conmutación muy rápida • nivel l

MOSFET de potencia P-Channel CARACTERÍSTICAS �Mejora de la capacidad DV/dt �Conmutación rápida �Muy buena para aplicaciones de accionamiento de 1.8V �PB-free plating �Compatible con RoHS �compuesto de mold libre de halógenos APLICACIÓN �Interruptor de car

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clie

MOSFET de potencia de canal de 20V N

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Susta

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-

-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.

Cámara Aqara E1: Visión más inteligente para una casa más segura Calidad de imagen superior y seguimiento de PT La E1 cuenta con un sensor de 2K y una lente gran angular f/2.0 para una excelente calidad de imagen, y ofrece una visión de 360°, así como un

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de monta

El DN2530 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de prueba de well. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidade

MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB se pre

Transistor N-FET TO-92 60 V 0,5 A 0,35 W

IRFP150 , MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La caja TO-247AC se utiliza preferentemente p

Potencia de audio digital HEXFET MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS Aplicaciones de destino: Accionamiento con batería Audio clase D. Puente completo de consumo Puente completo Push-pull

CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptores de carga, interruptor del adaptado

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obedi

Diseño: SOT-23 Polaridad: P Tensión de drenaje: 20 V. Corriente de drenaje: 3 a Potencia: 1,4 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

= STP16NF06

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

Potencia lineal MOSFET w/Extended FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Características Diseñado para operaciones lineales Paquetes internacionales estándar Protección de FBSOA a 60 °C. Clasificación de inflamabilidad de epoxies Molding Meet

Transistor de efecto de campo Canal N, modo de enriquecimiento Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología DMOS de alta densidad celular desarrollada por Onsemi. Estos productos se han diseñado

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Dynamic dv/dt Rating Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic QG bajo RDS bajo (ON) Baja capacidad de drenaje a separador Inductancia de paquetes bajos

STD1NK60, N-CANAL 600V - 8O - 1A DPAK SUPERMESH™ MOSFET Descripción: La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras comprobadas de ST. Además de reducir significativamente la resistencia al encendido,