Misceláneos - Ch (1.038)

STREFFET™ Power MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Cargo bajo de la puerta en 100�{C �Dispositivo de nivel lógico �Conducción de umbral bajo Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proc

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

AO3400A, MOSFET de canal N de 30 V Descripción: El AO3400A combina la avanzada tecnología MOSFET de zanja con un encapsulado de baja impedancia para proporcionar un RDS(ON) ultrabajo. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciale

El UTC 2N7000 está diseñado para minimizar la resistencia al paso, al tiempo que proporciona un comportamiento de cambio robusto, fiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400 mA de corriente continua y puede sum

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baj

MDmesh™ M2 Power MOSFETs Características Tarifa de puerta extremadamente baja Excelente perfil de capacitancia de salida (COSS) 100% avalancha probada Zener-protegido Aplicaciones Conmutación de aplicaciones Descripción Estos dispositivos son MOSFETs de P

MOSFET de potencia P-Channel Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de células de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �potencia de telecomunicaciones �Electrónica de consumo

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran trans

DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología de generación V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

IKP20N65F5 DuoPack rápido de 650V IGBT y diodo: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología de alta velocidad F5 TRENCHSTOP™ • Máxima eficiencia de clase con

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápid

HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Los MOSFET de quinta generación de potencia HEXFETÆ de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

SuperMESH™ Power MOSFETs Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacitancia intrínseca muy baja Zener-protegido Descripción Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de Potencia N-

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob

N-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Conversión DC/DC - Sistema de cuaderno de potencia

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada

HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La caja TO-220 es general

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo

Aplicaciones • De sincronización de alta eficiencia SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dinám

transistor de N-Channel TrenchMOS Nivel lógico FET Características Tecnología de separación Cambio de marchas extremadamente rápido Compatible con el nivel lógico Carcasa subminiatura de montaje superficial Aplicaciones Controlador de relé Controladores d

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-

STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Caracterización orientada a la aplicación �100% avalancha probada Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "

Interruptores de lado bajo Entrada de nivel lógico protección térmica Surge protección contra sobrecarga protección de circuito corto

IRS21531DSTRPBF aus der IRS21531D-Familie ist ein Selbstoszillierender Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,18 A Source / 0,26 A Sink, VCC/VDD ca. 10..15,4 V, RC-Oszillator / CT/RT, kein klassischer Logikeingan

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

Potencia MOSFET Single MOSFET Características • paquetes internacionales estándar • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura c

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Nivel lógico �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to

N-Channel 60V - 11.5Mo - 60A - STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Puerta de entrada de nivel estándar 100% avalancha probada Aplicaciones Aplicación de conmutación

Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Converti

STB80NF10; STP80NF10 Esta serie POWER MOSFET, realizada con el exclusivo proceso STTripFET de STMicroelectronics, ha sido diseñada específicamente para minimizar la capacitancia de entrada Minimice la capacidad de entrada y la carga de la puerta. Por lo t

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Potencia polar3 HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Paquetes internacionales estándar Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquete