Misceláneos - Ch (1.038)
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VISHAY IRFU014PBF - MOSFET N-Ch 60V 7,7A 0,20R, TO-251AA
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) • Plomo recto (IRFU014, SiHFU014) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Material ca0,52 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRF 1310NS - MOSFET, N-Ch 100V 42A 0,036R, D2-PAK
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño rob1,25 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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IXYS IXTN90N25L2 - MOSFET N-Ch 250V 90A 735W 0,033R SOT227B
Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N FBSOA garantizado Clasificación Avalancha Características Diseñado para funcionamiento lineal Paquete estándar internacional FBSOA garantizado a 75 °C Clasificación Avalancha El epoxi de moldeo cumple la clasi55,01 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IPA65R190C7XKSA1 - MOSFET, N-Ch 650V 8A 0,19R, TO-220-Fullpak
MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Caract3,05 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TSM085P03CS - MOSFET, P-Ch, -30V -34A 14W, 0,0085R, SO-8
MOSFET de potencia de canal p. Características RDS(ON) bajo para minimizar la pérdida de línea Carga de puerta baja para un cambio rápido Compatible con RoHS Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 Aplicaciones Gestión de la alimentación de la batería Con0,74 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRFP 140N - MOSFET, N-Ch 100V 33A 140W, TO-247AC
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el1,16 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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ONSEMI FDV 303N - MOSFET, N-Ch 25V 0,68A Rdson 0,33R, SOT-23
FET digital, canal N Descripción Estos transistores de efecto de campo de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican utilizando LA tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada por Semiconductor. Este proceso de muy alta densidad está diseñado0,12 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRFU 120N - MOSFET, N-Ch 100V 9,4A 0,21R, TO-251AA
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el0,68 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IPA60R600C6 - MOSFET N-Ch 600V 7,3A 28W 0,6R TO220-Fullpak
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga compara1,46 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRF 820 - MOSFET, N-Ch 500V 2,5A 3,0R, TO-220AB
IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es g0,70 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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VISHAY IRFP 450A - MOSFET, N-CH 500V 14A 0,4, TO-247AC
La tercera generación de MOSFET DE potencia de VISHAY ofrece al desarrollador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El gabinete TO-247AC se prefiere para aplicaciones comerciales e industriales donde1,87 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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STMICROELECTRONICS STP 6NK60Z STM - MOSFET, N-Ch 600V 6A 110W, TO-220
N-CANAL 600V - 1O - 6A - TO-220/TO-220FP/I²PAK/D²PAK ZENER PROTEGIDO SUPERMESH™ MOSFET La serie SuperMESH™ es el resultado de la optimización extrema del diseño PowerMESH™ probado basado en tiras de STS. Además de la reducción significativa de la resisten1,04 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRF 9540NS - MOSFET, P-Ch, -100V -23A 0,117R, D2-PAK
Transistor MOSFET P-CH 100 V 23 A. 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK1,27 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRF 1404S - MOSFET, N-Ch 40V 162A 0,004R 200W, D2-PAK
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápid1,62 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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STMICROELECTRONICS STW9N150 - MOSFET N-Ch 1500V 8A 1,8R, TO-247
Canal N 1500 V - 2.5R - 8 A - TO-247 muy alta tensión PowerMESH™ Potencia MOSFET atributos A prueba de avalanchas al 100 Robustez de la aludes Carga de la puerta minimizada Capacidades propias muy bajas interruptor de alta velocidad Muy baja on-resistenci12,30 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRLML 6244 - MOSFET, N-Ch 20V 6,3A 0,021R, SOT-23
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema0,43 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TSM05N03CW - MOSFET N-Ch 30V 5A 0,046R, SOT-223
MOSFET DE CANAL DE 30 V N Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Interruptor de carga �Interruptor PA0,53 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TSM2305CX - MOSFET P-Ch 20V 3,2A 0,055R SOT23
MOSFET DE CANAL P DE 20 V. Características �Tecnología avanzada de procesos de tendencias �Diseño de celda de alta densidad para una resistencia ultra baja Aplicación �Gestión de la batería �Interruptor de alta velocidad0,35 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TOSHIBA 2SK 2996 - MOSFET, N-Ch 600V 10A 45W, SC-67
2SK 29962,40 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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STMICROELECTRONICS STD12NF06 - MOSFET N-Ch 60V 12A 0,1R TO252
STREFFET™ II POWER MOSFET Características �Excepcional capacidad dv/dt �Tarifa de puerta baja Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único "tamaño de función única" proceso basado en tiras. El transistor resultante mue0,55 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRF7855PBF - MOSFET N-Ch 60V 12A 0,0094R SO8
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor primario lateral en topología de puente en convertidores dc-dc aislados Interruptor primario lateral en Topología push-pull para convertidores dc-dc aislados de 18-36 Vin Interruptor de reconocimiento sí1,09 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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IXYS IXFH170N25X3 - MOSFET, N-Ch 250V 170A 0,0074R, TO-247AD
MOSFET de potencia clase X3 HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido20,29 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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VISHAY SI4425DDY-GE3 - MOSFET N-Ch 400V 0,17A 14,3R, SOT-223
CANAL P 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado APLICACIONES Interruptores de carga - Notebook PC - PC de escritorio0,93 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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VISHAY SI4948BEY-GE3 - MOSFET doble P-Ch, -60V -3,1A Rds(on), 0,12R, SO-8
Doble canal P 60-V (D-S) 175° MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC1,00 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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MICROCHIP DN3135K1-G - MOSFET, N-Ch SOT-23, 350V 0,18A 35R 0,36W
DN3135 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de cierre de proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades0,95 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRFHS9301 - MOSFET, P-Ch, -30V -13A 0,065R, QFN-6
IRFHS9301TRPBF1,11 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRFP 054N - MOSFET, N-Ch 55V 81A 170W, TO-247AC
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el1,60 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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STMICROELECTRONICS STW28NM50N - MOSFET N-Ch 500V 21A 150W 0,158R TO247
N-Channel 500 V, 0.135 O, 21 A MDmesh™ II Power MOSFET Características 100% avalancha probada Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta Aplicaciones Conmutación de aplicaciones2,64 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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ALPHA UND OMEGA AO D4185 - MOSFET, P-Ch, -40V -40A 0,015R, DPAK
Descripción general El AOD4185 / AOI4185 utiliza tecnología avanzada de separación para proporcionar un excelente RDS (ON) y un bajo nivel de carga de puerta. Con la excelente resistencia térmica del paquete DPAK / IPAK, este dispositivo es adecuado para0,63 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IPA60R180C7XKSA1 - MOSFET, N-Ch 600V 9A 0,18R, TO-220-Fullpak
MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos3,08 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IGW25N120H3 - TRANSISTOR IGBT, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3
IGW25N120H3 IGBT de alta velocidad de 1200V: IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ y Fieldstop Características y ventajas: • Oferta de tecnología TRENCHSTOP™ - Mejor potencia de ruptura de clase: Menos de 500 micras en total de pérdidas de conmutación alcanzable4,49 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TSM 2312 SMD - MOSFET, N-Ch 20V 5A 1,25W, SOT-23
Transistor • Ganancia de canal de 20V N MOSFET • Carcasa: SOT-230,35 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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STMICROELECTRONICS STW12NK90Z - MOSFET N-Ch+Z-Dio 900V 11A 230W 0,88R TO247
N-Channel 900V - 0.72O - 11A - TO-247 Zener-protegido SuperMESH™ Power MOSFET Características generales Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad2,57 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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ONSEMI FQP17P06 ONS - MOSFET, P-Ch, -60V -17A 79W, 0,12R, TO-220
MOSFET de potencia Canal P QFET Este MOSFET de potencia de canal P en modo de enriquecimiento está fabricado con tecnología patentada de bandas planares y DMOS de Fairchild Semiconductor. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado específicamente para1,83 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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GO-E CH-04-03 - Adaptador Gemini flex 22 kW en CEE rojo 16 A.
Cable adaptador para go-e Charger Gemini flex 22 kW con conector de 32 a CEE rojo (trifásico - corriente trifásica). El adaptador permite conectar el cargador a 16 a CEE, latas rojas (trifásicas). La detección de adaptador integrada, en combinación con el39,55 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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INFINEON IRFR7546PBF - MOSFET N-Ch 60V 56A 0,0079R TO252AA
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua0,76 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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COMPRO CHDW230V - Enchufe profundo con transformador de voltaje (230V), blanco, Ch
Clase de protección: IP65 Rango de temperatura: -25°C a +70°C. Colores de la caja: Rojo, blanco o gris Material: ABDOMINALES31,67 €En stock | 9,95 €Reichelt.com
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TEXAS INSTRUMENTS SMD CD4051BM - Multiplexor, 8-CH, 3 ... 20 V, SO-16
Descripción Los multiplexores y desmultiplexores analógicos CD405xB son interruptores analógicos controlados digitalmente con baja impedancia y muy baja corriente de fuga. Estos circuitos multiplexores tienen un consumo de corriente silenciosa extremadame0,35 €En stock | 9,95 €Reichelt.com