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Comportamiento de desconexión rápido Bajas pérdidas de paso Con diodo de marcha libre integrado

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PolarHV HiPerFET Potencia MOSFET Modo de mejora de canal N = 200 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquete

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