Ch (1.265)

N-Channel 1000 V, 2,7 O, 3,5 A, SuperMESH3™ Power MOSFET Características Extremadamente alta capacidad dv/dt 100% avalancha probada Se minimizó la carga de la puerta Capacidades intrínsecas muy bajas Muy buena repetibilidad de fabricación Aplicaciones Apl

El UTC UF540 es un MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar al cliente una resistencia mínima a la transmisión y una alta velocidad de conmutación. El UTC UF540 es adecuado para c

Tecnología G3R: -+15V /-5 Gate Drive Resistencia de conexión superior RDsont Diodo corporal rápido Baja capacidad Pequeñas pérdidas de línea Asignación de clavijas: 1: Puerta 2: Drain 3: Fuente

CANAL P 30 V (D-S) MOSFET TrenchFET® Power MOSFET Aplicaciones: • Interruptor de batería • Convertidores DC/DC

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

Cable adaptador para el CARGADOR GO-E GEMINI FLEX 11 kW con conector rojo CEE de 16 A (corriente trifásica). El adaptador permite que el cargador se conecte a 16 A CEE BLUE sockets (enchufes de camping). Potencia de carga: Max. 3,7 kW (230 V, 16 A) Longit

MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El DPAK está diseñado par

MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad d

CoolMOS™ 1) Power MOSFET En el paquete ISOPLUS247TM Modo de mejora de n-Channel Baja RDSON, alta VDSS MOSFET Paquete con base aislada eléctrica Características • paquete ISOPLUS247™ con base DCB - el aislamiento eléctrico se inclina hacia el efecto de cal

Polar3 HiperFET Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad d

Cable de tipo 2 Black Edition (hasta 22 kW) 2,5 m Cable de carga de tipo 2 negro para una potencia de carga máxima de 22 kW (longitud: 2,5 m) apto para todos los vehículos eléctricos con conector de tipo 2 y para todas las estaciones de carga con toma de

N-Channel 60 V, 0,22 O tipo., 38 A, STREFFET™ II Power MOSFET Características RDS típico(ON) = 0.022 O.. Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Unidad de umbral estándar Aplicaciones Aplicación de conmutación

MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como

MOSFET™ StrongIRFET™ de canal N simple de 30 V en una caja TSOP-6 (Micro 6) La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de ba

N-Channel 900 V, 3,6 O tipo., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación d

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y relación de precio/rendimiento competitiva de la serie OptiMOS Con la gama combinada de productos Infineons OptiMOS™ y StrongIRFET, Infineon ofrece la opción adecuada para todos los clientes y

Frío 75 por CRC Industries Para la localización de averías térmicas en electrónica, para la contracción en frío de piezas pequeñas, para eliminar la suciedad pegajosa de los textiles, para la congelación por choque de caucho y plástico y para la comprobac

Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET Características generales �RDS TÍPICO(ON) = 13R.. EXTREMADAMENTE ALTA CAPACIDAD DV/DT ESD MEJORA LA CAPACIDAD 100% AVALANCHA PROBADA NUEVO PUNTO DE REFERENCIA DE ALTO VOLTAJE SE MINIMIZÓ LA CARGA DE LA PUERTA DESCRIPCIÓ

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación

Carcasa: SOT-23

Los MOSFET de potencia HEXFETA de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutac

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-

go-e Controller Con el go-e Controller, su coche eléctrico o híbrido enchufable, en combinación con un go-e Charger, le resultará aún más económico, seguro y sostenible: 1. Aproveche al máximo el consumo propio de su instalación fotovoltaica. 2. Confíe en

Sadowsky MetroExp21 Vint M4 Morado CH, Bajo eléctrico, Cuerpo de okoume, Mástil de arce tostado fijado por tornillos, Diapasón: Morado, Radio del diapasón: 12", Longitud de escala: 864mm (34"), Anchura de cejuela: 39,2 mm, Cejuela Sadowsky Just-A-Nut III,

Canal de 60 V N PowerTrench MOSFET Este MOSFET de canal N se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores dc-dc que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. Este MOSFET tiene un RDS(ON) m

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el

Potencia polar3 HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Paquetes internacionales estándar Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquete

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) • Plomo recto (IRFU014, SiHFU014) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Material ca

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características diodo casi intrinsivo International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) UL reconocido. Base de montaje aislada ADVantages Fácil

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC

PB-free Halide free

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, c

Diseño: SOT-23 Polaridad: P Tensión de drenaje: 20 V. Corriente de drenaje: 4 a Potencia: 1,5 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de p

Transistor MOSFET P-CH 55 V 3,4A SO-8

Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología de generación V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Montaje de superficie Carga y conmutación de puerta muy baja Aconsejado completamente Avalon Sin plomo

Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to R