Ch (1.510)

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

AMPLÍE SUS POSIBILIDADES Velocidad total de 5 Gbit/s con el USB Hub CH 10 Con su carcasa metálica de alta calidad, el concentrador USB es muy estable y ofrece la mejor base posible para transferencias seguras y rápidas. Conectado a un ordenador o portátil

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia polar Modo de enriquecimiento del canal p.

STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �100% avalancha probada �Caracterización orientada a la aplicación Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "

Este MOSFET de canal N especificado de 2,5 V se fabrica con el avanzado proceso de Power Take de Fairchild Semiconductor, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, pero manteniendo una carga de puerta baja para una excelente potencia

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Sa

Transistor N-FET TO-92 60 V 0,5 A 0,35 W

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Control MOSFET de convertidores de sincronización utilizados para la alimentación del procesador de portátiles Control MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Beneficios Carga de puerta muy baja

Carcasa: DIL-16

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

N-CANAL 250-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 PWM-optimizado TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado Avalancha probada APLICACIONES Interruptor lateral primario en: - Suministros de energía de telecomunic

MOSFET de potencia polar Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido

MOSFET de potencia SIC Características Baja subida y bajas pérdidas de cambio Velocidades de conmutación altas posibles Menor dependencia de la temperatura Aplicación Accionamiento del motor Inversor, convertidor Fotovoltaica, generación de energía eólica

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

N-Channel 100V - 0.0055O - 26A - Carga de puerta baja STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Aplicaciones Aplicación de conmutación

ZXMHC6A07T8 MOSFET de 60 V complementario con modo de enriquecimiento y puente H Descripción: Esta nueva generación de MOSFET de Zetex utiliza una estructura única que combina las ventajas de una baja resistencia hacia adelante con una alta velocidad de c

Especificaciones técnicas - Vía 1: Conector tipo J de Suiza (SEV1011, recto), - Vía 2: Conector hembra con toma de tierra tipo F (CEE 7/3, recto) - Máx. Capacidad de corriente: 10 a / 250 V. - Material de la carcasa: PVC - Certificado ESTI SEV - Fusible d

Cable de alimentación con enchufe suizo y toma IEC C13 blanca Enchufe tipo J según IEC 60906-1 - H05-VV-F3G 0,75 mm² H05VV-F3G 0,75 mm² Color blanco Interruptor de encendido no Tensión nominal 250 V Corriente nominal 10 A Longitud del cable 200 cm Enchufe

Cable de conexión para aparatos de baja tensión, para conectar aparatos de TV, fuentes de alimentación portátiles, radios, grabadores de radio/casete, ordenadores portátiles, pantallas planas (LCD, TFT, LED), reproductores de CD/DVD/Blu-ray, etc. Cable pa

go-e Charger géminiflex 2.0 El go-e Charger Gemini flex 2.0 con tarjeta SIM integrada ya está aquí. El punto de recarga móvil ofrece hasta 11 kW de potencia de carga para carga monofásica y trifásica a partir de 1,4 kW. La inteligente Wallbox con una cone

MOSFET de potencia de canal P de -20 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecu

N-Channel 650 V, 0.070 O, 33 A MDmesh™ V Power MOSFET Características TO-220 Mejor RDS en todo el mundo(on) Calificación VDSS más alta Alta capacidad DV/dt Excelente rendimiento de conmutación Fácil de conducir 100% avalancha probada Aplicación Conmutació

STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �100% avalancha probada �Caracterización orientada a la aplicación Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras “

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

Este modo de aplicación (normally-on) utiliza transistores para la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de silicon-gate de well-proven. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores b

MOSFET de potencia de puerta de separación Modo de mejora de n-Channel Características Avalancha aconsejada Capacidad de manejo de alta corriente Rectificador de entrada rápida RDS bajo (ON) ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de e

IRFBC30, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida pa

HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño r

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de e

MOSFET de potencia de 30 V de canal N simple StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 3,3 x 3,3 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicacion

STREFFET™ F7 Power MOSFETs Características Entre las RDS(ON) más bajas del mercado Excelente FOM (figura de mérito) Baja relación CRSs/CISS para inmunidad EMI Alta resistencia a las avalanchas Descripción Estos MOSFET de alimentación de canal N utilizan l

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adec

Soporte de cable de tipo 2 Práctico y elegante soporte para cables para todos los cables de carga con conector tipo 2 para guardar de forma segura si el vehículo eléctrico no se carga. También reduce los riesgos de tropiezo. Montaje en pared sin complicac

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja P-Channel Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free

MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja f

SIPMOS® Transistor de Señal Pequeña Características • Canal P • Modo de mejora • Nivel normal • Avalancha clasificada • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente ° Libre de halógenos según IEC61249_2_21 ° Calificado según AEC Q101

Descripción • Transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N en una carcasa de plástico SOT23 pequeña (TO-236AB) con dispositivo montado en superficie (SMD), utilizando la tecnología MOSFET de separación. Características y venta

La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adec