Ch (1.267)

Diseño: TO-247 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 560 V. VGS: 3,9 V. Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 284 W.. RDS: 110 mOhm Tipo: N-canal

MOSFET de potencia LogN-CH D-Pak 55V 36A.

Transistor MOSFET N-CH 150 V 43 A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK

N-Channel 600 V, 1,7 O tipo., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs Características • 100% avalancha probada • Capacidades intrínsecas muy bajas • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y relación de precio/rendimiento competitiva de la serie OptiMOS Con la gama combinada de productos Infineons OptiMOS™ y StrongIRFET, Infineon ofrece la opción adecuada para todos los clientes y

Alimentación MOSFET de alta tensión Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Paquete de alta tensión Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada La clasificación de inflamabilida

Transistor MOSFET N/P-CH 30 V 3,5A/2,3A SO-8

Diseño: DPAK Polaridad: N Tensión de drenaje: 40 V. Corriente de drenaje: 50 A. Potencia: 50 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

Separador MOSFET Características y ventajas compatible con el nivel lógico conmutación muy rápida tecnología MOSFET Trench AEC-Q101 cualificado Aplicaciones conductor de relé conductor de alta velocidad Interruptor de carga lateral bajo Circuitos de conmu

Transistor MOSFET N-CH 75 V 170 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB

Diseño: DPAK Polaridad: P Tensión de drenaje: 30 V. Corriente de drenaje: 70 A. Potencia: 90 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

N-Channel 900 V, 5 O Typ., 2,1 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de

MOSFET de potencia de canal N. CARACTERÍSTICAS �Bajo RDS(ON) para minimizar las pérdidas conductivas �Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida �100% UIS y RG comprobado. �175°�'C temperatura de la junta operativa �Complant to RoHS directiv

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha

Transistor Zetex Vivienda: SOT-23 N-Channel MOSFET

Este modo de depleción de umbral bajo (normally-on) utiliza transistores en la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de puerta de silicona de montaje de pozo. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia

Carcasa: SOT-23

Estos transistores de efecto de campo de rendimiento de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología de DMOS planar propiedad de Fairchild. Esta tecnología avanzada se ha diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso,

Tipo 2 cable Black Edition (hasta 22 kW) 5 m Cable de carga de tipo 2 negro para una potencia de carga máxima de 22 kW (longitud: 5 m) apto para todos los vehículos eléctricos con conector de tipo 2 y para todas las estaciones de carga con toma de tipo 2.

Diseño: SOT-23 Polaridad: N Tensión de drenaje: 30 V. Corriente de drenaje: 3,8 A. Potencia: 1,4 W. Intervalo de temperatura: -55 … +150 °C.

Descripción Los HEXFETT de quinta generación de International rectifierr utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseñ

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y relación de precio/rendimiento competitiva de la serie OptiMOS Con la gama combinada de productos Infineons OptiMOS™ y StrongIRFET, Infineon ofrece la opción adecuada para todos los clientes y

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

AMPLÍE SUS POSIBILIDADES Velocidad total de 5 Gbit/s con el USB Hub CH 10 Con su carcasa metálica de alta calidad, el concentrador USB es muy estable y ofrece la mejor base posible para transferencias seguras y rápidas. Conectado a un ordenador o portátil

HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residua

MOSFET de potencia polar Modo de enriquecimiento del canal p.

STREFFET™ II POWER MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �100% avalancha probada �Caracterización orientada a la aplicación Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras "

Este MOSFET de canal N especificado de 2,5 V se fabrica con el avanzado proceso de Power Take de Fairchild Semiconductor, diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, pero manteniendo una carga de puerta baja para una excelente potencia

Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Sa

Transistor N-FET TO-92 60 V 0,5 A 0,35 W

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Control MOSFET de convertidores de sincronización utilizados para la alimentación del procesador de portátiles Control MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Beneficios Carga de puerta muy baja

MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema

N-CANAL 250-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 PWM-optimizado TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado Avalancha probada APLICACIONES Interruptor lateral primario en: - Suministros de energía de telecomunic

MOSFET de potencia polar Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido

MOSFET de potencia SIC Características Baja subida y bajas pérdidas de cambio Velocidades de conmutación altas posibles Menor dependencia de la temperatura Aplicación Accionamiento del motor Inversor, convertidor Fotovoltaica, generación de energía eólica

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, aval

N-Channel 100V - 0.0055O - 26A - Carga de puerta baja STREFFET™ II Power MOSFET Características generales Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Caracterización orientada a la aplicación Aplicaciones Aplicación de conmutación